[发明专利]一种多包层弯曲损耗不敏感单模光纤

权利要求书

1.一种多包层弯曲损耗不敏感单模光纤，包括芯层和包层，其特征在于，所述芯层的折射率呈中心低外侧高的凹陷形分布，设置在芯层外部的包层由内而外依次是内包层、下陷包层和外包层，所述芯层的折射率高于内包层、下陷包层和外包层的折射率，所述内包层的折射率沿着径向由内向外逐渐降低，下陷包层为掺氟层，下陷包层的折射率低于内包层和外包层。

2.根据权利要求1所述的多包层弯曲损耗不敏感单模光纤，其特征在于，所述内包层的直径(a2)与芯层直径(a1)的比值(a2/a1)为4～5，所述下陷包层直径(a3)与芯层直径(a1)的比值(a3/a1)为4～8。

3.根据权利要求2所述的多包层弯曲损耗不敏感单模光纤，其特征在于，所述的芯层直径(a1)为7.5μm～8.5μm，内包层的直径(a2)为30μm～42.5μm，下陷包层直径(a3)为30μm～68μm。

4.根据权利要求1所述的多包层弯曲损耗不敏感单模光纤，其特征在于，所述芯层的相对折射率差值(Δ1)为0.3～0.4％，内包层的相对折射率差值为-0.2％～0.2％。

5.根据权利要求4所述的多包层弯曲损耗不敏感单模光纤，其特征在于，所述的内包层沿径向最内界面处的相对折射率差值(Δ21)为0％～0.2％，内包层沿径向最外界面处的相对折射率差值(Δ22)为-0.2％～0％。

6.根据权利要求1所述的多包层弯曲损耗不敏感单模光纤，其特征在于，所述下陷包层的相对折射率差值(Δ3)为-0.5～-0.3％。

7.根据权利要求1所述的多包层弯曲损耗不敏感单模光纤，其特征在于，所述的芯层直径(a1)为8μm，内包层的直径(a2)为37.7μm～42μm，下陷包层直径(a3)为53～54.9μm，芯层的相对折射率差值(Δ1)为0.39％，内包层的相对折射率差值为-0.05％～0.06％，下陷包层的相对折射率差值(Δ3)为-0.36～-0.35％。

8.制作权利要求1至7任一项所述的多包层弯曲损耗不敏感单模光纤的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：

A、沉积加工芯层和内包层形成芯棒松散体，将芯棒松散体玻璃化得到芯棒后将芯棒进行第一次延伸；

B、在芯棒的内包层表面外包沉积加工出下陷包层松散体，然后将下陷包层松散体玻璃化形成下陷包层后进行第二次延伸，其中在沉积下陷包层松散体时，芯棒的牵引速度大于200mm/h来控制下陷包层松散体的沉积厚度，在将下陷包层松散体玻璃化时，通入CF₄气体进行掺氟，CF₄气体流量为2～3L/min；

C、在下陷包层的表面外包沉积加工出外包层松散体，然后将外包层松散体玻璃化后得到预制棒；

D、将预制棒拉制成光纤。