[发明专利]一种具有极低的负介电各向异性的液晶组合物及其应用

权利要求书

1.一种具有极低的负介电各向异性的液晶组合物，其特征在于，所述液晶组合物包含如下通式Ⅰ-通式VI所示的液晶化合物：

其中，R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₀、R₁₁、R₁₂各自独立的选取C1～C15的取代或未被取代的直链或支链烷基或烷氧基、C2～C15的取代或未被取代的直链或支链烯基或烯氧基、其中取代基选自F、Cl、Br、I、CN、OH、-CH＝CH-、或-C≡C-；

环A、B、C、D、E、F、G、H、I、J、K各自独立的表示环己烷基、亚苯基、苯基、含氧六环基、或含有取代基的亚苯基；其中取代基选自F、Cl、Br、I、或CN；

L₁、L₂、L₃、L₄、L₅、L₆、L₇、L₈各自独立的代表F、CN、H、Cl、Br、I、C1-C3的烷基或烷氧基、CF₃、或CF₃O；

m、n、p各自独立的表示0、1、或2；

Z₁、Z₂、Z₃各自独立的表示乙二基、-C≡C-、-CH＝CH-、-COO-、-OCO-、-OOC-、-CF₂O-、或-CH₂O-。

2.根据权利要求1所述的液晶组合物，其特征在于，所述液晶组合物中各化合物的质量百分含量为：

通式Ⅰ的化合物占所述液晶组合物总质量的1-50％；

通式Ⅱ的化合物占所述液晶组合物总质量的1-50％；

通式Ⅲ的化合物占所述液晶组合物总质量的1-30％；

通式Ⅳ的化合物占所述液晶组合物总质量的1-50％；

通式Ⅴ的化合物占所述液晶组合物总质量的1-30％；

通式VI的化合物占所述液晶组合物总质量的1-20％。

3.根据权利要求1所述的液晶组合物，其特征在于，所述通式Ⅰ的化合物选自如下通式：

所述通式Ⅰ的化合物的具体结构式选自如下：

4.根据权利要求1所述的液晶组合物，其特征在于，所述通式Ⅱ的化合物选自如下通式：

所述通式Ⅱ的化合物的具体结构式选自如下：

5.根据权利要求1所述的液晶组合物，其特征在于，所述通式Ⅲ的化合物选自如下通式：

所述具有通式Ⅲ的化合物的具体结构式如下：

6.根据权利要求1所述的液晶组合物，其特征在于，所述通式Ⅳ的化合物选自如下通式：

所述具有通式Ⅳ的化合物的具体结构式如下：

7.根据权利要求1所述的液晶组合物，其特征在于，所述通式Ⅴ的化合物选自如下通式：

所述具有通式Ⅴ的化合物的具体结构式如下：

8.根据权利要求1所述的液晶组合物，其特征在于，所述通式VI的化合物选自如下通式：

9.一种液晶显示器件，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的液晶组合物。

10.一种如权利要求1-8任一项所述的液晶组合物在液晶显示领域的应用。