[发明专利]一种功放管检测装置及数据处理方法

权利要求书

1.一种功放管检测装置，包括功放管、卡槽、电流采样电路、电源模块、电压调制器、电流检测单元、电压采样电路、电压检测单元、单片机处理单元、显示单元、数据传输单元、计算机单元、数据分类单元以及显示屏，其特征在于：所述功放管设置在所述卡槽中，所述功放管的输入端与所述电压调制器的输出端连接，所述电压调制器的输入端与所述电源模块的输出端连接，所述电源模块的输出端还与所述电流采样电路的输入端连接，所述电流采样电路的输出端与所述电流检测单元的输入端连接，所述电流检测单元的输出端与所述单片机处理单元的输入端连接，所述电压采样电路的输出端与所述功放管的输入端连接，所述电压采样电路的输出端与所述电压检测单元的输入端连接，所述电压检测单元的输出端与所述单片机处理单元的输入端连接，所述单片机处理单元的输出端分别与所述显示单元以及所述数据传输单元的输入端连接，所述数据传输单元的输出端与所述计算机单元的输入端连接，所述计算机单元集成有数据分类单元和显示屏,其中所述数据分类单元为基于数据挖掘算法中决策树算法的分类单元，所述功放管为LDMOS场效应管。

2.根据权利要求1所述的一种功放管检测装置，其特征在于：所述电压调制器为阻值为20K欧姆的滑动变阻器，且所述电压调制器的输出电压为0-9V的直流电压。

3.根据权利要求1所述的一种功放管检测装置，其特征在于：所述电流采样电路为采取阻值为1K欧姆的采样电阻R10的电流采样电路，所述采样电阻R10的一端与电源模块的正极连接，所述采样电阻R10的另一端与所述LDMOS场效应管的漏极连接。

4.根据权利要求1所述的一种功放管检测装置，其特征在于：所述电流检测单元包括第一差分运放电路、第一放大电路、第一A/D转换电路，所述第一差分运放电路的输出端与所述第一放大电路的输入端连接，所述第一放大电路的输出端与所述第一A/D转换电路的输入端连接，所述第一A/D转换电路的输出端与所述单片机处理单元的输入端连接，其中所述第一A/D转换电路还连接有获取基准电压的电压基准芯片MAX6325。

5.根据权利要求4所述的一种功放管检测装置，其特征在于：所述第一差分运放电路为基于芯片INA333AIDGK的差分运放电路，所述第一放大电路为基于OP177EP的放大电路，所述第一A/D转换电路为基于ADS8317IBDGK的A/D转换电路，所述单片机处理单元为基于MKE06Z64VLH4R的单片机处理单元。

6.根据权利要求1所述的一种功放管检测装置，其特征在于：所述电压检测电路为采取阻值为1K欧姆的电阻R11的电压采样电路，所述电阻R11的一端与电源模块的负极连接，所述电阻R11的另一端与所述LDMOS场效应管的栅极连接。

7.根据权利要求6所述的一种功放管检测装置，其特征在于：所述电压检测单元包括第二差分运放电路、第二放大电路、第二A/D转换电路，所述第二差分运放电路的输出端与所述第二放大电路的输入端连接，所述第二放大电路的输出端与所述第二A/D转换电路的输入端连接，所述第二A/D转换电路的输出端与所述单片机处理单元的输入端连接，其中所述第二A/D转换电路还连接有获取基准电压的电压基准芯片MAX6325。

8.根据权利要求7所述的一种功放管检测装置，其特征在于：所述第二差分运放电路为基于芯片INA333AIDGK的差分运放电路，所述第二放大电路为基于OP177EP的放大电路，所述第二A/D转换电路为基于ADS8317IBDGK的A/D转换电路，所述单片机处理单元为基于MKE06Z64VLH4R的单片机处理单元。

9.根据权利要求1所述的一种功放管检测装置，其特征在于：所述显示单元为显示所述LDMOS场效应管的电流、电压和阻值的数码管。

10.一种数据处理方法，包括以下步骤：

（S0）开始；

（S1）输入计算机单元接收到的LDMOS场效应管检测数据，创建训练样本，建立分类模型；单片机处理单元通过数据传输单元将检测到的LDMOS场效应管的数据传递到计算机单元，检测数据被存储到计算机单元，数据分类模块从计算机单元中调取需要处理的检测数据，数据分类模块从所调取的检测数据中，选择样本，从而创建出训练样本，构建分类模型；

（S2）根据用户需求创建分类属性；其中所述分类属性包括对根节点、内部接点、分支以及叶子组的定义，用户可创建多种分类属性，定义的属性不同，输出结果也不同，采用的分类模型也不同；

（S3）根据用户需要，从创建的分类属性中选择一个分类属性；

（S4）根据分类属性创建决策树；决策树的建立取决于用户对根节点、内部接点、分支以及叶子组的定义；

（S5）根据决策树算法进行数据计算，并输出分类结果；

（S6）判断是否更换分类属性，如果不更换分类属性，则进行步骤（S7），如果更换分类属性，则返回步骤（S3）；

（S7）任务结束。