[发明专利]控制PSFB变换器的方法及PSFB变换器

说明书

公开了一种控制PSFB变换器的方法、装置及存储介质，属于电源技术领域。所述方法包括：控制电路在控制第一时钟和第二时钟在第一状态下工作一段时间之后，控制第一时钟和第二时钟切换至第二状态下工作。其中，第一时钟和第二时钟在第一状态下工作时第一桥臂为超前桥臂、第二桥臂为滞后桥臂，在第二状态下工作时第一桥臂为滞后桥臂、第二桥臂为超前桥臂。因此，通过本申请，可以使第一桥臂在一段时间内为超前桥臂，在另一段时间内为滞后桥臂，同样使第二桥臂在一段时间内为滞后桥臂，在另一端时间内为超前桥臂，从而使第一桥臂的关断损耗和第二桥臂的关断损耗趋于一致，以此提高PSFB变换器的可靠性。

技术领域

本申请涉及电源技术领域，特别涉及一种控制移相全桥(phase shifted fullbridge，PSFB)变换器的方法及PSFB变换器。

背景技术

PSFB变换器可以将直流电转换为不同电压的(如更低电压的)直流电。PSFB变换器的可靠性需要提高。

发明内容

本申请提供了一种控制PSFB变换器的方法及PSFB变换器，可以提高PSFB变换器的可靠性。所述技术方案如下：

第一方面，提供了一种控制PSFB变换器的方法，所述方法包括：

控制电路控制第一时钟和第二时钟在第一状态下工作，并控制计时器开始计时。其中，所述PSFB变换器包括第一桥臂和第二桥臂。所述第一桥臂包括第一MOSFET和第二MOSFET，所述第二桥臂包括第三MOSFET和第四MOSFET。所述控制电路输出的基于所述第一时钟的第一驱动信号被输入至所述第一MOSFET的栅极。所述控制电路输出的基于所述第一时钟的第二驱动信号被输入至所述第二MOSFET的栅极。所述控制电路输出的基于所述第二时钟的第三驱动信号被输入至所述第三MOSFET的栅极。所述控制电路输出的基于所述第二时钟的第四驱动信号被输入至所述第四MOSFET的栅极。所述第一驱动信号、所述第二驱动信号、所述第三驱动信号和所述第四驱动信号均为周期性信号。所述第一驱动信号、所述第二驱动信号、所述第三驱动信号和所述第四驱动信号的频率相同且为驱动频率。所述第一驱动信号与所述第二驱动信号之间互补。所述第三驱动信号与所述第四驱动信号之间互补。且所述第一时钟和所述第二时钟在所述第一状态下工作时所述第一桥臂为超前桥臂、所述第二桥臂为滞后桥臂。在所述计时器的计时时长到达第一阈值时，所述控制电路控制所述第一时钟和所述第二时钟切换至第二状态下工作。所述第一时钟和所述第二时钟在所述第二状态下工作时所述第一桥臂为滞后桥臂、所述第二桥臂为超前桥臂。

如果PSFB变换器的两个桥臂的寿命不一致，那么PSFB变换器的寿命将取决于两个桥臂中寿命较短的桥臂，从而导致PSFB变换器的可靠性较差。其中，桥臂的寿命与桥臂的损耗相关。在PSFB变换器中，四个MOSFET的导通损耗和开启损耗基本为0，因此每个MOSFET的损耗基本为该MOSFET的关断损耗。相应地，每个桥臂的损耗也基本为该桥臂包括的两个MOSFET的关断损耗之和。因此，如果两个桥臂对应的两个关断损耗之间的差异较大，将影响PSFB变换器的可靠性。而在PSFB变换器工作的过程中，超前桥臂的关断损耗大于滞后桥臂的关断损耗。所以，在本申请中，控制电路在工作时间达到阈值之后，对调超前桥臂和滞后桥臂的角色。因此，通过本申请提供的控制方法，可以使第一桥臂在一段时间内为超前桥臂，在另一段时间内为滞后桥臂，同样使第二桥臂在一段时间内为滞后桥臂，在另一段时间内为超前桥臂，从而使第一桥臂的关断损耗和第二桥臂的关断损耗趋于一致，以此提高PSFB变换器的可靠性。

其中，第一桥臂与第二桥臂形成一个四边形，第一MOSFET位于四边形的第一角，第二MOSFET位于四边形的第二角，第三MOSFET位于四边形的第三角，第四MOSFET位于四边形的第四角，第一角和所述第三角之间互为对角，第二角和第四角之间互为对角。

可选地，所述控制电路控制所述第一时钟和所述第二时钟切换至第二状态下工作，包括：将第一驱动信号与第三驱动信号之间的相位差设置为转换前相位差的相反数，转换前相位差为第一时钟和第二时钟在第一状态下工作时第一驱动信号与第三驱动信号之间的相位差。