[发明专利]一种硫硒化亚锡二维半导体材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201810523294.4 | 申请日： | 2018-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN108715440A | 公开（公告）日： | 2018-10-30 |
| 发明（设计）人： | 黎永涛;高伟;牟中飞;李京波 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00;B82Y30/00;H01L31/032;C30B1/02;C30B27/00;C30B29/46 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;唐京桥 |
| 地址： | 510060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 石英管 二维半导体 混合粉末 化亚锡 硫硒 制备 单一材料 加热部 石英 半导体材料 加热石英管 惰性气体 光电特性 混合粉体 硫化亚锡 能带调控 抽真空 混匀 硒化 亚锡 预置 封闭 保留 申请 | ||
1.一种硫硒化亚锡二维半导体材料的制备方法，其特征在于，包括：
a)将硫化亚锡粉末和硒化亚锡粉末均匀混合，得到混合粉末；将所述混合粉末置于第一衬底的一端，然后将第二衬底反转水平放置于所述第一衬底上方，所述混合粉末夹在所述第一衬底和第二衬底之间，形成一反应体系；
b)将所述反应体系置于石英载体上，然后将所述石英载体放置在石英管的加热部，封闭石英管；
c)将所述石英管靠近所述混合粉体的一端通入惰性气体，同时在石英管的另一端抽真空使其维持在预置真空度内；然后，加热所述石英管的加热部，自然冷却，即得。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤a)所述硫化亚锡粉末和硒化亚锡粉末混合摩尔比为(0.1～1):(0.1～1)。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤a)所述第一衬底和第二衬底的材料相同，为氧化硅、硅片、氧化硅-硅片复合材料、云母材料或蓝宝石材料。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤a)所述第一衬底和第二衬底的厚度为10nm～350nm。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤a)所述第一衬底和第二衬底之间的缝隙宽度为200um～700um。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤c)所述惰性气体为氮气或氩气，其流量为2sccm～4sccm；
所述真空度为6torr～14torr。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤c)所述加热的温度为750℃～850℃，加热时间为3min～10min。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硫硒化亚锡二维半导体材料附着于所述第二衬底与所述第一衬底相对的一侧。
9.权利要求1至8任意一项所述的制备方法制得的硫硒化亚锡二维半导体材料，其特征在于，为四边形二维单晶材料；
其厚度为8nm～100nm；表面积为100um2～10000um2。
10.由权利要求1至8任意一项所述的制备方法制得的硫硒化亚锡二维半导体材料和/或权利要求9的硫硒化亚锡二维半导体材料制得的硫硒化亚锡光电器件。
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