[发明专利]中子捕获治疗系统

权利要求书

1.一种中子捕获治疗系统，其特征在于：所述中子捕获治疗系统包括射束入口、中子产生部、邻接于中子产生部的缓速体、包覆于缓速体外周的反射体、与所述缓速体邻接的热中子吸收体、设置在所述射束整形体的辐射屏蔽和射束出口，所述中子产生部与自所述射束入口入射的带电粒子发生核反应以产生中子，所述缓速体将自所述中子产生部产生的中子减速至超热中子能区，所述反射体将偏离的中子导回以提高超热中子的强度，所述反射体由具有中子反射能力强的合金材料制成，所述合金材料含有锑元素，所述热中子吸收体用于吸收热中子以避免治疗时与浅层正常组织造成过多剂量，所述辐射屏蔽用于屏蔽渗漏的中子和光子以减少非照射区的正常组织剂量。

2.根据权利要求1所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述合金材料对中子的吸收率不大于10％。

3.根据权利要求2所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述合金材料为铅锑合金材料，所述铅锑合金中锑元素的质量与整个铅锑合金元素质量的百分比为3％至8％，所述铅锑合金材料的密度不小于10.74g/cm³且不大于11.10g/cm³，所述铅锑合金的布氏硬度不低于5.3HB且不高于7.0HB。

4.根据权利要求3所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述锑元素与铅锑合金材料总元素的质量百分比为5％。

5.根据权利要求1所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述热中子吸收体和所述射束出口之间设有空气通道，所述空气通道的直径自热中子吸收体向射束出口减小而使空气通道呈锥体状设置。

6.根据权利要求5所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述锥体状呈0.3640至1.1918的坡度自热中子吸收体向射束出口倾斜。

7.根据权利要求6所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述中子产生部嵌设于缓速体内，所述缓速体包括靠近射束入口的柱体部和一端邻接于柱体部另一端邻接于热中子吸收体的锥体部，所述锥体部呈0.5626的坡度自柱体部向热中子吸收体倾斜。

8.根据权利要求1所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述中子捕获治系统还包括设于反射体外周的屏蔽部，所述屏蔽部包括用于支撑反射体的支撑件及设置于支撑件中用于对中子进行屏蔽的屏蔽体。

9.根据权利要求8所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述屏蔽部包括多个栅元，每个栅元形成一个具有容置空间的芯部，所述屏蔽体设于所述芯部的容置空间内，多个芯部连接形成所述支撑件，所述支撑件为一体成型结构，所述屏蔽体材料浇注设置于所述芯部的容置空间内。

10.根据权利要求9所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：规定数量的芯部连接形成的所述支撑件，所述支撑件的外侧设有相对设置的顶板、底板以及与顶板、底板连接并围设于芯部外周的侧板，所述规定数量连接的芯部、设于芯部内的屏蔽体、顶板、底板以及侧板形成屏蔽体模块，所述屏蔽体模块堆叠形成所述屏蔽部，所述屏蔽体材料为铅，所述芯部、顶板、底板以及侧板的材料为低中子吸收截面及低活化材料，所述芯部、顶板、底板以及侧板的材料总体积占所述反射体的材料体积的比例小于10％。