[发明专利]图像传感器的斜坡信号发生器和包括其的图像传感器有效
申请号: | 201810504713.X | 申请日: | 2018-05-23 |
公开(公告)号: | CN109040630B | 公开(公告)日: | 2021-04-27 |
发明(设计)人: | 曹圭益 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H04N5/3745 | 分类号: | H04N5/3745;H04N5/378 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 斜坡 信号发生器 包括 | ||
1.一种图像传感器的斜坡信号发生器,所述斜坡信号发生器包括:
采样电容器,连接在电源电压和采样节点之间,配置为对通过传输开关传输的偏置电压进行采样;
电流单元电路,配置为响应于所述采样节点采样的偏置电压和多个切换代码对,在斜坡变化时间段期间向第一输出节点提供第一斜坡电流;
电流电压转换器,包括连接在所述第一输出节点与接地电压之间的第一负载电阻器,其中所述第一负载电阻器配置为将所述第一斜坡电流转换为在所述斜坡变化期间斜坡变化的第一斜坡信号;以及
调谐电路,连接在所述第一输出节点和所述采样节点之间,所述调谐电路包括至少一个电容器,所述至少一个电容器配置为将所述采样节点与所述第一输出节点耦合,其中所述调谐电路配置为响应于调谐信号调整所述第一斜坡信号的非线性程度。
2.根据权利要求1所述的斜坡信号发生器,其中所述电流单元电路包括:
连接在所述电源电压和所述第一输出节点之间的多个电流单元,其中所述多个电流单元中的每一个配置为响应于所述采样的偏置电压和所述多个切换代码对中的相应一个产生单元电流;以及
切换代码控制器,配置为响应于第二切换控制信号将所述多个切换代码对中的每一个提供给所述多个电流单元中的相应一个。
3.根据权利要求2所述的斜坡信号发生器,其中所述多个电流单元中的每一个包括:
第一晶体管,所述第一晶体管具有连接到所述电源电压的第一电极、连接到所述采样节点以接收所述采样的偏置电压的栅极以及连接到第一节点的第二电极;
第二晶体管,所述第二晶体管具有连接到所述第一节点的第一电极、用于接收切换代码对的第一切换代码的栅极以及连接到所述第一输出节点的第二电极;以及
第三晶体管,所述第三晶体管具有连接到所述第一节点的第一电极、用于接收所述切换代码对的第二切换代码的栅极以及连接到所述接地电压的第二电极,其中所述第二切换代码具有与所述第一切换代码的逻辑电平互补的逻辑电平,
其中所述多个电流单元的单元电流之和与所述第一斜坡电流相对应。
4.根据权利要求3所述的斜坡信号发生器,其中:
所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管中的每一个是p沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。
5.根据权利要求1所述的斜坡信号发生器,其中所述调谐电路包括:
多个电容器,相对于彼此并联连接到所述采样节点,其中所述多个电容器相对于彼此具有不同的电容;以及
多个p沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管,其中所述多个PMOS晶体管中的每一个相对于彼此并联连接在所述多个电容器中的相应一个和所述电源电压之间;以及
多个n沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管,其中所述多个NMOS晶体管中的每一个相对于彼此并联连接在所述多个电容器中的相应一个和所述第一输出节点之间,
其中所述多个PMOS晶体管的每个栅极和所述多个NMOS晶体管的每个栅极接收调谐信号的相应比特。
6.根据权利要求5所述的斜坡信号发生器,其中:
所述多个PMOS晶体管中的每一个具有连接到所述电源电压的第一电极以及在多个连接节点中的相应一个处连接到所述多个电容器中的相应一个的第二电极;以及
所述多个NMOS晶体管中的每一个具有连接到所述第一输出节点的第一电极以及在所述多个连接节点中的相应一个处连接到所述多个电容器中的相应一个的第二电极。
7.根据权利要求5所述的斜坡信号发生器,其中:
所述多个PMOS晶体管中的至少一个响应于所述调谐信号的所述相应比特选择性地关断;以及
所述多个NMOS晶体管中的至少一个响应于所述调谐信号的所述相应比特选择性地接通。
8.根据权利要求1所述的斜坡信号发生器,还包括:
偏置产生电路,连接在所述电源电压和所述接地电压之间,所述偏置产生电路配置为产生所述偏置电压。
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