[发明专利]一种基于光学性能调制的电离辐射检测方法及系统有效

专利信息
申请号: 201810497329.1 申请日: 2018-05-22
公开(公告)号: CN108693550B 公开(公告)日: 2019-09-27
发明(设计)人: 许剑锋;王宇黎;李颖洁 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: G01T1/16 分类号: G01T1/16
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 曹葆青;李智
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 电光晶体 检测对象 电离辐射源 干涉条纹 检测模块 光子 电离辐射 发生移动 光学性能 泵浦光 探测器 反射 调制 检测 运动方向相反 平行反射面 反射光束 图像重建 时间差 折射率 抛光 入射 粒子 聚焦 辐射
【权利要求书】:

1.一种基于光学性能调制的电离辐射检测方法,其特征在于,包括:

在包含电离辐射源的检测对象周围放置多对检测模块,每对检测模块位于检测对象的相对位置,每个检测模块包括一个电光晶体和一个探测器,电离辐射源所发出的辐射粒子进入检测对象后湮灭产生多对运动方向相反的γ光子;每对检测模块与检测对象应呈一直线放置,且检测对象位于每对检测模块之间;

对每个电光晶体入射泵浦光,则泵浦光在电光晶体前后两个抛光的平行反射面反射,将前后两个反射面的反射光束聚焦产生干涉条纹,若γ光子到达电光晶体,电光晶体的折射率发生改变,则干涉条纹发生移动;

所述探测器根据每对γ光子引起的对应两个干涉条纹发生移动的时间差反解出电离辐射源湮灭点的位置,进而对检测对象进行图像重建。

2.根据权利要求1所述的基于光学性能调制的电离辐射检测方法,其特征在于,所述探测器通过以下方法确定每对γ光子引起的对应两个干涉条纹发生移动的时间差:

所述探测器检测所述干涉条纹中心的强度,当所述干涉条纹移动时,所述探测器检测到的干涉条纹中心的强度发生变化,每对γ光子引起的对应两个干涉条纹中心强度发生变化的时间差即为对应两个干涉条纹发生移动的时间差。

3.根据权利要求1所述的基于光学性能调制的电离辐射检测方法,其特征在于,当γ光子到达电光晶体时,电光晶体内被激发产生电荷载流子并且在电荷载流子的作用下会出现局部电场,局部电场会改变经过前反射面入射到电光晶体的泵浦光的相位,进而使得干涉条纹移动。

4.一种基于光学性能调制的电离辐射检测系统,其特征在于,包括:多对检测模块,所述多对检测模块分布在检测对象周围,每对检测模块位于检测对象的相对位置,所述检测对象包含电离辐射源,电离辐射源所发出的辐射粒子进入检测对象后湮灭产生多对运动方向相反的γ光子;每对检测模块与检测对象应呈一直线放置,且检测对象位于每对检测模块之间;

每个检测模块包括电光晶体、干涉条纹产生装置和探测器;

所述电光晶体接收泵浦光入射,入射的泵浦光在电光晶体前后两个抛光的平行反射面反射,产生两条反射光束;

所述干涉条纹产生装置将两条反射光束聚焦产生干涉条纹,若γ光子到达电光晶体,电光晶体的折射率发生改变,则干涉条纹发生移动;

所述探测器根据每对γ光子引起的对应两个干涉条纹发生移动的时间差反解出电离辐射源湮灭点的位置,进而对检测对象进行图像重建。

5.根据权利要求4所述的基于光学性能调制的电离辐射检测系统,其特征在于,所述探测器检测所述干涉条纹中心的强度,当所述干涉条纹移动时,所述探测器检测到的干涉条纹中心的强度发生变化,每对γ光子引起的对应两个干涉条纹中心强度发生变化的时间差即为对应两个干涉条纹发生移动的时间差。

6.根据权利要求4所述的基于光学性能调制的电离辐射检测系统,其特征在于,当γ光子到达电光晶体时,电光晶体内被激发产生电荷载流子并且在电荷载流子的作用下会出现局部电场,局部电场会改变经过前反射面入射到电光晶体的泵浦光的相位,进而使得干涉条纹移动。

7.根据权利要求4所述的基于光学性能调制的电离辐射检测系统,其特征在于,所述干涉条纹产生装置包括:第一透镜、光阑以及第二透镜;

所述第一透镜用于对从电光晶体反射的两条反射光束聚焦,使其产生干涉条纹;

所述光阑用于使干涉条纹中心通过;

所述第二透镜用于将通过所述光阑的干涉条纹聚焦到探测器的中心。

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