[发明专利]温度系数可调节的电流产生电路

权利要求书

1.一种温度系数可调节的电流产生电路，其特征在于，包括：

一电流镜，由参考电流产生输出电流源；

一运算放大器，该运算放大器的正输入端连接一参考电压；

一开关管，该开关管的栅极连接该运算放大器的输出端，该开关管的源极连接该运算放大器的负输入端，该开关管的漏极连接该电流镜的参考电流的输入端；

至少二正温度系数电阻，至少二负温度系数电阻，正温度系数电阻串联后组成正温度系数电阻组，负温度系数电阻串联后组成负温度系数电阻组，正温度系数电阻组和负温度系数电阻组并联后为温度系数可调节电阻组，该温度系数可调节电阻组一端连接该运算放大器的负输入端，一端接地；

除最近接地端的一个该正温度系数电阻外每个该正温度系数电阻的近接地端连接一正温度系数开关，该正温度系数开关的另一端接地，该正温度系数开关数量比该正温度系数电阻数量少一个；

除最近接地端的一个该负温度系数电阻外每个该负温度系数电阻的近接地端连接一负温度系数开关，该负温度系数开关的另一端接地，该负温度系数开关数量比该负温度系数电阻数量少一个。

2.如权利要求1所述的温度系数可调节的电流产生电路，其特征在于，该电流镜包括一第一PMOS管和一第二PMOS管，该第一PMOS管的栅极连接该第二PMOS管的栅极、该开关管的漏极和该第一PMOS管的漏极，该第一PMOS管的源极和该第二PMOS管的源极连接电源，该第二PMOS管的漏极产生该输出电流源。

3.如权利要求1或2所述的温度系数可调节的电流产生电路，其特征在于，该开关管为一第一NMOS管。

4.如权利要求1或2所述的温度系数可调节的电流产生电路，其特征在于，该正温度系数开关为NMOS开关管，该负温度系数开关为NMOS开关管。

5.如权利要求1或2所述的温度系数可调节的电流产生电路，其特征在于，在一温度t下，该正温度系数电阻的电阻值为A1，该负温度系数电阻的电阻值为A2，A1、A2为自变量温度t的电阻函数值，闭合该正温度系数开关的其中一个用以局部短接部分该正温度系数电阻，未被短接的正温度系数电阻数量为a个，闭合该负温度系数开关的其中一个用以局部短接部分该负温度系数电阻，未被短接的负温度系数电阻数量为b个，

该参考电压为零温度系数的基准电压源，且该参考电压值为Vref，

该温度系数可调节电阻组的总电阻值为Rref，

该参考电流为Iref，

6.如权利要求5所述的温度系数可调节的电流产生电路，其特征在于，

该A1、A2与温度相关，该Vref与温度无关，该输出电流源的电流值正比于

该输出电流源的温度系数调节的方法如下，

通过控制闭合该正温度系数开关和该负温度系数开关，改变a、b的数值，进而改变温度系数可调节电阻组的总电阻值Rref，进一步产生所需的参考电流Iref，通过该电流镜产生该输出电流源，从而生成该输出电流源所需的温度系数。

7.一种振荡器电路，包括如权利要求1-6之一所述的温度系数可调节的电流产生电路，其特征在于，还包括，一线性稳压器，一带隙基准源，一环形振荡器，一频率微调系统。

8.如权利要求7所述的振荡器电路，其特征在于，该带隙基准源输出一零温度系数的基准电压源和一第一偏置电流，该零温度系数的基准电压源和该第一偏置电流输入到该线性稳压器和该温度系数可调节的电流产生电路，该线性稳压器输出负载电压，该负载电压输入到该温度系数可调节的电流产生电路和该环形振荡器，该温度系数可调节的电流产生电路输出一第二偏置电流，该第二偏置电流输入到该环形振荡器，一外部微调码输入到该环形振荡器，一参考频率输入到该频率微调系统，该频率微调系统生成一内部微调码，该内部微调码输入到该环形振荡器，该环形振荡器输出一输出频率，该输出频率输入到该频率微调系统。