[发明专利]一种中高压电子铝箔发孔腐蚀后半V阴极加电保护的方法

说明书

一种中高压电子铝箔发孔腐蚀后半V阴极加电保护的方法，是将铝箔经过前处理和一级前半V发孔腐蚀后，进行一级后半V阴极加电保护，铝箔进入后半V后对阴极进行恒电流保护处理30~120s，电流密度为5~30mA/cm²，直至铝箔超出后半V液面。本发明增加一级发孔腐蚀后半V阴极加电保护处理后，铝箔的再发孔和并孔现象明显减少，铝箔表面腐蚀减薄厚度比传统方法减少37.5%‑67.5%，发孔密度、发孔的孔径以及发孔的均匀性等指标良好，比容比传统方法得到的铝箔提高约2%，箔材质、厚度保持均一，折弯次数比传统铝箔增加5‑10次。

技术领域

本发明涉及铝电解电容器用阳极箔化成技术领域，具体是一种中高压电子铝箔发孔腐蚀后半V阴极加电保护的方法。

背景技术

小型化是铝电解电容器发展的必然趋势，通过对具有{100}织构的高纯铝箔进行电解腐蚀以扩大其比表面积、提高比电容，是铝电解电容器小型化最有效的技术途径。

目前，中高压铝箔的电解腐蚀工艺一般包括前处理、发孔腐蚀、扩孔腐蚀、后处理四个主要步骤。高压铝箔表面形成均匀分布的高密度、尺寸（孔径、孔长）合理的隧道孔是获得高比电容的关键。前处理的主要作用为除去光箔表面油污、杂质及氧化膜，改善表面状态，促进铝箔下一步发孔腐蚀时形成均匀分布的隧道孔；发孔腐蚀的作用为通过施加直流电在铝箔表面形成具有一定长度和孔径的初始隧道孔；扩孔腐蚀的作用为在初始隧道孔的基础上进一步通电腐蚀，使隧道孔孔径进一步扩大至所需尺寸，避免化成时隧道孔被氧化膜堵死，获得高比电容；后处理的主要作用则是消除铝箔表面残留的金属杂质、箔灰以及隧道孔内的氯离子。

在上述腐蚀工艺中，发孔腐蚀是决定比容的关键步骤，因为发孔腐蚀控制铝箔表面是否能够形成均匀分布、密度合理的隧道孔。因此，众多研究人员把绝大部分精力放在如何改进和优化发孔腐蚀技术上面。发孔腐蚀过程中，影响后续腐蚀箔比容的因素有很多，包括发孔密度、孔径、发孔均匀性、并孔程度和表面腐蚀减薄程度等。在这些影响因素中，研究人员更加关注发孔密度、发孔的孔径以及发孔的均匀性，因为这些因素是影响腐蚀箔比容关键中的关键。因此，大量的论文和专利也主要是围绕这些因素来研究的。但是，隧道孔的并孔和表面腐蚀减薄其实也在较大程度上影响着腐蚀箔的比容，所以要想做出品质足够好、性能足够高的腐蚀箔，隧道孔并孔和表面腐蚀减薄也不容忽视。如何减少隧道孔并孔和降低表面腐蚀减薄是提高腐蚀箔性能的又一有效措施之一。

在现有发孔腐蚀技术中，目前普遍采用前半V发孔腐蚀技术，也就是说，在发孔腐蚀槽中，只有在前半V，铝箔加阳极电进行腐蚀，为防止发生断电现象，后半V不参与发孔腐蚀过程。铝箔在后半V处于高温高酸度的化学腐蚀状态，这会引起铝箔的再发孔，以及表面强烈的腐蚀减，影响了铝箔性能的进一步提高。因此，开发一种针对后半V保护铝箔的方法，解决或改善后半V化学腐蚀的问题，对于铝箔性能提高具有很好的促进作用。

发明内容

本发明针对现有超高压电子铝箔化成方法中的不足，提供一种中高压电子铝箔发孔腐蚀后半V阴极加电保护的方法。

本发明采用以下技术方案解决上述技术问题：

一种中高压电子铝箔发孔腐蚀后半V阴极加电保护的方法，包括如下步骤：

（1）前处理：铝箔进入温度为60-90℃，含有质量百分比为1-10%盐酸和20-40%硫酸的混合溶液中浸泡30-150 s；

（2）一级前半V发孔腐蚀：前处理完成后的铝箔进入温度65-80℃的发孔腐蚀液中，施加电流密度为300-800 mA cm^-2的直流电进行发孔腐蚀60-120 s，所述发孔腐蚀液为含有质量百分比为1-10%盐酸和20-40%硫酸的混合溶液；

（3）一级后半V阴极加电保护：前半V发孔腐蚀完成后，铝箔进入后半V，对阴极进行恒电流保护处理30~120s，电流密度为5~30mA/cm²，直至铝箔超出后半V液面；