[发明专利]阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基底，位于所述基底上的多个触控识别单元，每个所述触控识别单元包括：驱动单元、与所述驱动单元连接的发光器件、非可见光感应单元，以及挡光层；其中，

所述发光器件，用于发射非可见光；

所述挡光层中设置有通孔；所述通孔，用于将所述发光器件所发出的光经由触摸主体表面反射后照射至非可见光感应单元上，以供所述非可见光感应单元根据其所接收到的非可见光，生成相应的电信号，用以获取触控信息；

所述发光器件的发光层设置在所述挡光层背离所述基底的一侧，且所述挡光层与所述发光层相接触的位置作为所述发光器件的阳极；

各个所述发光器件的阴极连接在一起构成阴极层；其中，

所述阴极层在与所述通孔对应的位置具有开口。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述通孔与所述发光层在所述基底上的正投影无重叠。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述非可见光感应单元包括近红外探测三极管；其中，

所述近红外探测三极管的第一极连接感应线，第二极连接第一电源电压端，控制极连接触控信号端。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述近红外探测三极管的有源层材料包括：GaN、GaAs、InP、GeSi中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述发光器件包括红外有机电致发光器件或者近红外有机电致发光器件。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动单元包括驱动晶体管；其中，

所述驱动晶体管的第一极连接第一电源电压，第二极所述发光器件，控制极连接数据线。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述非可见光感应单元包括近红外探测三极管；

所述驱动晶体管为顶栅型晶体管；所述近红外探测三极管为底栅型晶体管；所述驱动晶体管的栅极与所述近红外探测三极管的栅极同层设置，且材料相同。

8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动单元还包括：开关晶体管、发光控制晶体管、复位晶体管、第一存储电容和第二存储电容；其中，

所述开关晶体管的第一极连接数据线，第二极连接所述驱动晶体管的控制极，控制极连接栅线；

所述发光控制晶体管的第一极连接第一电源电压，第二极连接所述驱动晶体管的第一极，控制极连接发光控制线；

所述复位晶体管的第一极连接所述驱动晶体管的第二极，第二极连接信号输入端，控制极连接复位信号端；

所述第一存储电容的第一端连接所述驱动晶体管的控制极，第二端连接所述驱动晶体管的第二极；

所述第二存储电容的第一端连接所述复位晶体管的第一极，第二端连接第二电源电压端。

9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：运算放大电路；其中，

所述运算放大电路，用于将所述非可见光感应单元在接收到的非可见光后所生成的电信号进行放大。

10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述运算放大电路包括：采样开关晶体管、基准电阻、变量采集开关晶体管、积分电容、运算放大器、第三存储电容、重置开关晶体管；其中，

所述采样开关晶体管的第一极连接所述非可见光感应单元，第二极连接所述基准电阻的第一端，控制极连接采样控制信号端；所述基准电阻的第二端连接所述运算放大器的反相输入端；

所述变量采集开关晶体管的第一极连接所述运算放大器的反相输入端和所述积分电容的第一端，第二极连接所述运算放大器的输出端和所述积分电容的第二端，控制极连接变量采集控制端；

所述重置开关晶体管的第一极连接所述运算放大器的正相输入端和所述第三存储电容的第一端，第二极连接所述运算放大器的输出端，控制极连接重置控制端；所述第三存储电容的第二端连接第二电源电压端。