[发明专利]光学成像系统有效
申请号: | 201810407860.5 | 申请日: | 2018-05-02 |
公开(公告)号: | CN110161651B | 公开(公告)日: | 2021-11-12 |
发明(设计)人: | 张永明;蔡振宏;李鸿文;赖建勋;刘耀维 | 申请(专利权)人: | 先进光电科技股份有限公司 |
主分类号: | G02B13/00 | 分类号: | G02B13/00;G02B13/06;G02B13/18 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 官建红 |
地址: | 中国台湾中部科学工业*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 成像 系统 | ||
1.一种光学成像系统,其特征在于,由物侧至像侧依序包含:
第一透镜,具有负屈折力,其物侧面于光轴上为凸面,其像侧面于光轴上为凹面;
第二透镜,具有正屈折力,其物侧面于光轴上为凸面;
第三透镜,具有正屈折力;
第四透镜,具有负屈折力;以及
成像面;
其中该光学成像系统具有屈折力的透镜为四个,该第一透镜至该第四透镜的焦距分别为f1、f2、f3、f4,该光学成像系统的焦距为f,该光学成像系统的入射瞳直径为HEP,该第一透镜物侧面至该成像面于光轴上具有一距离HOS,该第一透镜物侧面至该第四透镜像侧面于光轴上具有一距离InTL,该光学成像系统的最大可视角度的一半为HAF,该第一透镜物侧面上于1/2HEP高度的坐标点至该成像面间平行于光轴的水平距离为ETL,该第一透镜物侧面上于1/2HEP高度的坐标点至该第四透镜像侧面上于1/2HEP高度的坐标点间平行于光轴的水平距离为EIN,该第一透镜、该第二透镜、该第三透镜以及该第四透镜于1/2HEP高度且平行于光轴的厚度分别为ETP1、ETP2、ETP3以及ETP4,前述ETP1至ETP4的总和为SETP,该第一透镜、该第二透镜、该第三透镜以及该第四透镜于光轴的厚度分别为TP1、TP2、TP3以及TP4,前述TP1至TP4的总和为STP,其满足下列条件:1.8≦f/HEP≦2.1;60deg≦HAF≦89.9497deg;0.728≦EIN/ETL1;以及0.5≦SETP/STP1。
2.如权利要求1所述的光学成像系统,其特征在于,该第一透镜与该第二透镜之间于光轴上的距离为IN12,该第二透镜与该第三透镜之间于光轴上的距离为IN23,该第三透镜与该第四透镜之间于光轴上的距离为IN34,其满足下列条件:IN12IN23IN34。
3.如权利要求1所述的光学成像系统,其特征在于,可见光在该成像面上的光轴、0.3HOI以及0.7HOI三处于空间频率55cycles/mm的调制转换对比转移率分别以MTFE0、MTFE3以及MTFE7表示,其满足下列条件:MTFE0≧0.2;MTFE3≧0.01;以及MTFE7≧0.01。
4.如权利要求1所述的光学成像系统,其特征在于,该第一透镜于1/2HEP高度且平行于光轴的厚度为ETP1,该第二透镜于1/2HEP高度且平行于光轴的厚度为ETP2,该第三透镜于1/2HEP高度且平行于光轴的厚度为ETP3,该第四透镜于1/2HEP高度且平行于光轴的厚度为ETP4,前述ETP1至ETP4的总和为SETP,该第一透镜物侧面上于1/2HEP高度的坐标点至该第四透镜像侧面上于1/2HEP高度的坐标点间平行于光轴的水平距离为EIN,其满足下列公式:0.3≦SETP/EIN1。
5.如权利要求1所述的光学成像系统,其特征在于,该光学成像系统包括一滤光组件,该滤光组件位于该第四透镜以及该成像面之间,该第四透镜像侧面上于1/2HEP高度的坐标点至该滤光组件间平行于光轴的距离为EIR,该第四透镜像侧面上与光轴的交点至该滤光组件间平行于光轴的距离为PIR,其满足下列公式:0.1≦EIR/PIR≦1.1。
6.如权利要求1所述的光学成像系统,其特征在于,该第四透镜像侧面上于1/2HEP高度的坐标点至该成像面间平行于光轴的水平距离为EBL,该第四透镜像侧面上与光轴的交点至该成像面平行于光轴的水平距离为BL,其满足下列公式:0.1≦EBL/BL≦1.5。
7.如权利要求1所述的光学成像系统,其特征在于,更包括一光圈,并且于该光圈至该成像面于光轴上具有一距离InS,其满足下列公式:0.2≦InS/HOS≦1.1。
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