[发明专利]具反熔丝型差分记忆胞的随机码产生器及相关感测方法

权利要求书

1.一种随机码产生器，包括：

一记忆胞阵列，包括多个反熔丝型差分记忆胞；以及

一感测电路，具有一输入端与一反相输入端，其中当该记忆胞阵列中的一第一反熔丝型差分记忆胞被选择为一选定记忆胞时，该选定记忆胞的一位线连接至该感测电路的该输入端，且该选定记忆胞的一反相位线连接至该感测电路的该反相输入端；

其中，该感测电路包括：一第一电流槽以及一第二电流槽，该第一电流槽产生一第一偏压电流，且该第二电流槽产生一第二偏压电流；

其中，该第一电流槽包括：一第一晶体管以及一第二晶体管，该第一晶体管的一漏极端连接至该感测电路的该输入端，该第一晶体管的一栅极端接收一第一偏压电压，该第二晶体管的一漏极端连接至该第一晶体管的一源极端，该第二晶体管的一栅极端接收一读取致能信号，且该第二晶体管的一源极端接收一接地电压；

其中，该第二电流槽包括：一第三晶体管以及一第四晶体管，该第三晶体管的一漏极端连接至该感测电路的该反相输入端，该第三晶体管的一栅极端接收一第二偏压电压，该第四晶体管的一漏极端连接至该第三晶体管的一源极端，该第四晶体管的一栅极端接收该读取致能信号，且该第四晶体管的一源极端接收该接地电压；

其中，于一读取动作时，该选定记忆胞输出一第一读取电流以及一第二读取电流，将该第一读取电流减去该第一偏压电流后成为一第一充电电流以充电该位线，以及将该第二读取电流减去该第二偏压电流后成为一第二充电电流以充电该反相位线；

其中，当该位线的一第一电压大于该反相位线的一第二电压时，该感测电路放电该反相位线的该第二电压，以扩大该位线与该反相位线的一电压差；当该反相位线的该第二电压大于该位线的该第一电压时，放电该位线的该第一电压，以扩大该位线与该反相位线的该电压差；以及，该感测电路根据该电压差判断该选定记忆胞的一储存状态，并决定一随机码的一个位。

2.如权利要求1所述的随机码产生器，其中该第一反熔丝型差分记忆胞包括：

一第一反熔丝单元，连接至一第一反熔丝控制线以及该位线；

一第二反熔丝单元，连接至一第二反熔丝控制线以及该反相位线；以及

一连接电路，连接于该第一反熔丝单元与该第二反熔丝单元之间。

3.如权利要求2所述的随机码产生器，其中该第一反熔丝单元包括：一第一选择晶体管，具有一第一端连接至该位线、一第二端以及一栅极端连接至一字符线；一第一反熔丝晶体管，具有一第一端连接至该第一选择晶体管的该第二端、一第二端以及一栅极端连接至该第一反熔丝控制线；

其中，该第二反熔丝单元包括：一第二选择晶体管，具有一第一端连接至该反相位线、一第二端以及一栅极端连接至该字符线；一第二反熔丝晶体管，具有一第一端连接至该第二选择晶体管的该第二端、一第二端以及一栅极端连接至该第二反熔丝控制线；

其中，该连接电路包括：一隔离晶体管，具有一第一端连接至该第一反熔丝晶体管的该第二端、一第二端连接至该第二反熔丝晶体管的该第二端以及一栅极端连接至一隔离控制线。

4.如权利要求2所述的随机码产生器，其中该第一反熔丝单元包括：一第一反熔丝晶体管，具有一第一端连接至该位线、一第二端以及一栅极端连接至该第一反熔丝控制线；

其中，该第二反熔丝单元包括：一第二反熔丝晶体管，具有一第一端连接至该反相位线、一第二端以及一栅极端连接至该第二反熔丝控制线；

其中，该连接电路包括：一隔离晶体管，具有一第一端连接至该第一反熔丝晶体管的该第二端、一第二端连接至该第二反熔丝晶体管的该第二端以及一栅极端连接至一隔离控制线。