[发明专利]功率放大电路

权利要求书

1.一种功率放大电路，具备：

第一放大晶体管，在基极被供给输入信号，并从集电极输出放大了所述输入信号的第一放大信号；

第一偏置电路，向所述第一放大晶体管的基极供给第一电流或第一电压；

第二偏置电路，向所述第一放大晶体管的基极供给第二电流或第二电压；以及

第一电阻元件，串联连接在所述第一放大晶体管的基极与所述第一偏置电路之间，

所述第二偏置电路具备：

二极管，在阳极被供给电源电压；

阻抗电路，设置在所述二极管的阴极与接地之间；以及

第一电容元件，一端与所述二极管的阴极和所述阻抗电路的连接点连接，并从另一端向所述第一放大晶体管的基极供给所述第二电流或第二电压。

2.根据权利要求1所述的功率放大电路，其中，

所述二极管由晶体管构成，所述晶体管的集电极被供给所述电源电压，基极与集电极连接，发射极与所述阻抗电路连接。

3.根据权利要求1或2所述的功率放大电路，其中，

所述功率放大电路还具备：第二电容元件，串联连接在输入端子与所述第一放大晶体管的基极之间，

所述第一电容元件的所述另一端连接在所述输入端子与所述第二电容元件之间。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的功率放大电路，其中，

所述阻抗电路包括：第二电阻元件，一端与所述二极管的阴极连接，另一端接地。

5.根据权利要求1至3中的任一项所述的功率放大电路，其中，

所述阻抗电路包括：可变电阻器，根据所述输入信号的通信标准和频带中的至少一者来变更电阻值。

6.根据权利要求5所述的功率放大电路，其中，

所述第一放大晶体管、所述第一偏置电路、所述第一电阻元件、所述二极管以及所述第一电容元件形成在一个HBT芯片，

所述可变电阻器形成在所述HBT芯片的外部。

7.根据权利要求5或6所述的功率放大电路，其中，

所述可变电阻器形成在输出用于变更所述可变电阻器的电阻值的信号的控制IC。

8.根据权利要求1至7中的任一项所述的功率放大电路，其中，

所述功率放大电路还具备：

第二放大晶体管，在基极被供给所述第一放大信号，并从集电极输出放大了所述第一放大信号的第二放大信号；

第三偏置电路，向所述第二放大晶体管的基极供给第三电流或第三电压；以及

第三电阻元件，串联连接在所述第二放大晶体管的基极与所述第三偏置电路之间。