[发明专利]单模双包层掺镝硫系玻璃光纤及其制备方法

权利要求书

1.单模双包层掺镝硫系玻璃光纤，其特征在于：由内至外依次包括芯层、内包层及外包层；

所述芯层的组分为：Ge：20～25mol％，Ga：3～7mol％，Sb：8～12mol％，S：60～65mol％，Se：1～4mol％，Dy：0.1～1mol％；

所述内包层的组分为：Ge：20～25mol％，Ga：4～8mol％，Sb：8～12mol％，S：60～65mol％；

所述外包层的组分为：Ge：22～28mol％，Ga：2～5mol％，Sb：8～12mol％，S：60～65mol％。

2.根据权利要求1所述的单模双包层掺镝硫系玻璃光纤，其特征在于：

所述外包层的直径为100-150μm。

3.根据权利要求1所述的单模双包层掺镝硫系玻璃光纤，其特征在于：

外包层直径：内包层直径：芯层直径＝125:60:11。

4.单模双包层掺镝硫系玻璃光纤的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)制备内包层管、外包层管及芯棒；

2)采用热拉制法对内包层管、外包层管及芯棒进行拉制形成外包层细管、内包层细管和细芯棒；

3)将内包层细管和细芯棒进行棒管组合，在压力及保护气体作用下,管棒内外压强差为-6Kpa，采用热拉制法进行拉制；

a)将采用热拉制法进行拉制后的棒管与内包层细管进行棒管组合，在压力及保护气体作用下，管棒内外压强差为-6Kpa，采用热拉制法拉制的步骤；

4)将拉制后的管棒与外包层细管进行棒管组合，在压力及保护气体作用下,管棒内外压强差为-6Kpa，采用热拉制法拉制形成单模双包层掺镝硫系玻璃光纤；

其中，步骤2)、步骤3)、步骤a)及步骤4)中拉制过程的热拉制温度为350℃，保护气体为He气，流量为1L/min。

5.根据权利要求4所述的单模双包层掺镝硫系玻璃光纤的制备方法，其特征在于：

步骤1)所述制备外包层管的外径为12-18mm，内径为6-10mm；内包层管外径为12-18mm、内径为6-10mm；芯棒尺寸为12-18mm；

步骤2)中拉制过程的缩小比例系数为6-12；

步骤3)中拉制过程的缩小比例系数为2-3；

步骤a)中拉制过程的缩小比例系数为2-3；

步骤4)中单模双包层掺镝硫系玻璃光纤的直径为100-150μm。

6.根据权利要求5所述的单模双包层掺镝硫系玻璃光纤的制备方法，其特征在于：

步骤1)所述制备的外包层管的外径为14mm，内径为6mm；内包层管外径为14mm、内径为6mm；芯棒尺寸为12mm；

步骤2)中外包层细管的外径为2.33mm，内径为1mm；内包层细管的外径为2.33mm，内径为1mm；细芯棒尺寸为1mm；

步骤3)中拉制所得的棒管的内包层直径为1mm，芯径为0.48mm；

步骤a)中拉制所得的棒管的内包层直径为1mm，芯径为0.18mm；

步骤4)中单模双包层掺镝硫系玻璃光纤的外包层直径：内包层直径：芯径为125:60:11。

7.根据权利要求4-6任一所述的单模双包层掺镝硫系玻璃光纤的制备方法，其特征在于：

步骤1)中内包层管及外包层管的制备是通过旋管法制作，旋管温度为600-900℃，旋管速率为500-1000转/分钟，旋管时间为0.5-2分钟。

8.根据权利要求7所述的单模双包层掺镝硫系玻璃光纤的制备方法，其特征在于：

步骤1)中的制备芯棒是利用熔融淬冷法制备，其熔制温度为800-1000℃，淬冷时间0.2-1分钟。