[发明专利]一种电催化产氧薄膜电极材料的制备方法及其制品和应用

权利要求书

1.一种电催化产氧薄膜电极材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

S1、配制含M金属离子的化合物的溶液和K₃[M’(CN)₆]的溶液，或者，配制含M’金属离子的化合物的溶液和K₄[M(CN)₆]的溶液；

S2、清洗泡沫镍基底；

S3、将泡沫镍浸泡在含M金属离子的化合物的溶液和K₃[M’(CN)₆]的溶液中，或者，将泡沫镍浸泡在含M’金属离子的化合物的溶液和K₄[M(CN)₆]的溶液中，通过液相外延生长法形成PBAs的薄膜层；

其中具体的浸泡步骤为：含M金属离子的化合物的溶液→蒸馏水→K₃[M’(CN)₆]的溶液→蒸馏水，或者，含M’金属离子的化合物的溶液→蒸馏水→K₄[M(CN)₆]的溶液→蒸馏水；

S4、重复步骤S3，得到生长在泡沫镍上的PBAs薄膜；

S5、高温煅烧，得到电催化产氧薄膜电极材料；该材料包括泡沫镍和附着于泡沫镍上的金属氧化物薄膜；所述金属氧化物薄膜的主要成分为MM’₂O₄，其中，M选自Co²⁺、Fe²⁺、Zn²⁺、Mn²⁺、Ni²⁺、Cd²⁺或Cu²⁺；M’选自Co³⁺、Al³⁺ 、Fe³⁺、Ni³⁺、Mn³⁺、Cr³⁺或Ln³⁺，其中，Ln³⁺为稀土离子，选自La³⁺、Ce³⁺、Pr³⁺、Nd³⁺、Pm³⁺、Sm³⁺、Eu³⁺、Gd³⁺、Tb³⁺、Dy³⁺、Ho³⁺、Er³⁺、Tm³⁺、Yb³⁺、Lu³⁺、Y³⁺或Sc³⁺；

所述含M金属离子的化合物选自M(CH₃COO)₂、MSO₄、M(NO₃)₂或MCl₂；

所述含M’金属离子的化合物选自M’(CH₃COO)₃、M’₂(SO₄)₃、M’(NO₃)₃或M’Cl₃；

步骤S1中，所述溶液中含M金属离子的化合物或含M’金属离子的化合物的浓度为2至10mmol/L；

步骤S1中，所述溶液中K₃[M’(CN)₆]或K₄[M(CN)₆]的浓度为2至10 mmol/L；

步骤S5中，所述煅烧的温度为200-500℃。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述M与M’的金属相同或不相同。