[发明专利]提纯氧化铝的方法在审
| 申请号： | 201810322688.3 | 申请日： | 2018-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN108622923A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 范雪萍 | 申请（专利权）人： | 南通迪松纺织品有限公司 |
| 主分类号： | C01F7/46 | 分类号： | C01F7/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226100 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体层 熔融结晶器 熔化 混合物溶液 冷冻盐水 氧化铝 提纯 降膜 结晶器内壁 结晶器外壁 氧化铝溶液 产品纯度 粗氧化铝 降膜流动 熔融结晶 设备结构 逐步冷却 低熔点 高纯度 换热器 外夹套 富集 换热 夹杂 制备 生产工艺 紧凑 生长 生产 | ||
1.提纯氧化铝的方法，其特征在于：采用熔融结晶器提纯氧化铝，具体步骤为：
(1)结晶步骤：在熔融结晶器外夹套底部通入冷冻盐水，冷冻盐水均匀的在熔融结晶器外壁呈降膜流动，将粗氧化铝溶液投入到熔融结晶器内，粗氧化铝溶液在熔融结晶器内壁降膜流下，逐步冷却而结晶，在换热面上逐步生长出均匀的晶体层，晶体层的浓度高于熔融结晶器内溶液的浓度，杂质逐步富集于溶液中；
(2)发汗、熔化：冷冻盐水通入30～40min后，停止供料，然后通过换热器调节热水温度对晶体层进行部分熔化，使晶体层中夹杂的低熔点杂质熔化排除，进一步提纯晶体。
2.根据权利要求1所述提纯氧化铝的方法，其特征在于：所述结晶步骤具体为：先在熔融结晶器外夹套底部通入冷冻盐水，温度为-10℃～-2℃，冷冻盐水均匀的在熔融结晶器外壁呈降膜流动，然后将粗氧化铝溶液投入到熔融结晶器内，同时通过熔融结晶器导气管以4～7m3/min的速度向粗氧化铝溶液内通入压缩空气，使之在结晶管内形成弹状流气泡上升，造成熔体的湍动，增强传质和传热性能，氧化铝溶液在熔融结晶器内壁降膜流下，逐步冷却而结晶，在换热面上逐步生长出均匀的晶体层，晶体层的浓度高于熔融结晶器内溶液的浓度，杂质逐步富集于溶液中。
3.根据权利要求1所述提纯氧化铝的方法，其特征在于：所述发汗、熔化具体为：控制冷冻盐水通入时间30～40min后，停止供料，切换温水罐对晶体层进行部分熔化，温水罐水温为88～92℃，温水通入时间为15～40min；然后切换热水罐使晶体层中夹杂的低熔点杂质熔化排除，进一步提纯晶体，热水罐水温为90～94℃，热水通入时间为25～35min。
4.根据权利要求1或2所述提纯氧化铝的方法，其特征在于：所述冷冻盐水为氯化钙溶液或氯化钠溶液。
5.根据权利要求1或2所述提纯氧化铝的方法，其特征在于：所述熔融结晶器为立式列管换热器式的降膜熔融结晶器。
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