[发明专利]一种镁系磁性形状记忆合金及其获得方法有效
申请号: | 201810318579.4 | 申请日: | 2018-04-10 |
公开(公告)号: | CN108563920B | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 彭文屹;江长双;刘聪;朱峰;袁林 | 申请(专利权)人: | 南昌大学 |
主分类号: | G16C60/00 | 分类号: | G16C60/00;G16C10/00;C22C23/00 |
代理公司: | 南昌青远专利代理事务所(普通合伙) 36123 | 代理人: | 刘爱芳 |
地址: | 330000 江西省南昌市*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 磁性 形状 记忆 合金 及其 获得 方法 | ||
1.一种镁系磁性形状记忆合金,其特征在于:通式为Mg2YZ,其中Y=Ti或V,Z=Al、Ga或In;
1)立方相晶相结构属于空间群,Wyckoff坐标分别是Mg1(0,0,0)、Mg2(1/4,1/4,1/4)、Y(1/2,1/2,1/2)和Z(3/4,3/4,3/4),其中Y和Z如前定义;晶格常数为:
a=b=c=6.55~6.70Å;
2)四方相晶相结构属于空间群,Wyckoff坐标分别是Mg1(0,0,0)、Mg2(0,1/2,1/4)、Y(0,0,1/2)和Z(0,1/2,3/4),其中Y和Z如前定义;晶格常数为:
a=b=4.05~4.40Å,c=8.10~8.65Å。
2.根据权利要求1所述的镁系磁性形状记忆合金,所述镁系磁性形状记忆合金选自下面的一种或多种:Mg2TiAl、Mg2TiGa、Mg2TiIn、Mg2VAl、Mg2VGa。
3.权利要求1或2所述镁系磁性形状记忆合金的获得方法,包括基于第一性原理计算法的计算机模拟计算,基本过程包括:
A. 计算化学计量比体系的结合能,预判材料存在的可能性,确定初始立方奥氏体结构及磁性配置;
B. 通过四方变形研究可能的马氏体相变;
C. 计算弹性常数及声子谱,判断稳定性。
4.根据权利要求3所述的获得方法,其特征在于:包括如下的步骤:
1)计算Mg、Ti、V、Al、Ga原子基态能量;
2)搭建初始结构模型,包括Heusler结构和反Heusler结构,以及不同磁性配置;
3)对步骤2) 所述模型进行结构优化,获得Mg2YZ不同结构、磁性的总能,其中Y=Ti或V,Z=Al、Ga或In;
4)由步骤2)和步骤3)得到Mg2YZ不同结构、磁性的结合能,得到立方奥氏体相、铁磁性配置;
5)对步骤4)得到的立方奥氏体相进行四方变形计算,得到四方马氏体相;
6)计算步骤5)得到的四方马氏体相的弹性常数,判断力学稳定性;
7)计算步骤5)得到的四方马氏体相的声子谱,判断动力学稳定性。
5.根据权利要求4所述的获得方法,其特征在于:所述获得方法中,参数设置为:
(1)基于密度泛函理论的VASP软件包进行计算,电子与原子核之间的相互作用采用投影缀加波方法,交换关联能采用PBE形式的广义梯度近似;
(2)选取的Mg、Ti、V、Al、Ga、In赝势的价电子组态分别是3s2、3d34s1、3p63d44s1、3s23p1、4s24p1、5s25p1;
(3)平面波截断能选取450eV;K点网格均以Gamma点为中心;自洽计算时密度取0.02Å-1,非自洽计算时取0.012Å-1,计算声子谱时取0.04Å-1;能量和力的收敛标准分别是10μeV和5meV/Å;
(4)结构优化,考察L21和XA两种构型,以及顺磁、铁磁、反铁磁三种磁性配置;其中,顺磁和铁磁结构优化采用物理学原胞,分别设置为非自旋极化和自旋极化的默认磁矩配置,反铁磁优化采用基于原胞2×1×1的具有8个原子的超胞;所述默认磁矩配置为4个Mg原子都是0,Y1和Z1为正,Y2和Z2为负;
(5)声子谱计算过程中,建立基于惯用晶胞2×2×2的具有128个原子的超胞,用VASP计算各原子的力常数,然后用phonony软件进行声子计算。
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