[发明专利]一种非易失性内存的异常掉电数据保护方法及装置在审
申请号: | 201810290333.0 | 申请日: | 2018-04-03 |
公开(公告)号: | CN108491058A | 公开(公告)日: | 2018-09-04 |
发明(设计)人: | 周亮 | 申请(专利权)人: | 郑州云海信息技术有限公司 |
主分类号: | G06F1/30 | 分类号: | G06F1/30;G06F3/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 450018 河南省郑州市*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 内存 异常掉电 非易失 非易失性内存 电源信号 缓存数据 数据保护 发送 关机 检测 指令 电池备份单元 超级电容 电源单元 配置指令 数据丢失 完成时 对板 下电 申请 供电 填补 配置 | ||
本申请提供一种非易失性内存的异常掉电数据保护方法及装置,所述方法包括:检测PSU的电源信号是否发生异常;当检测到PSU的电源信号发生异常时,切换BBU进行供电,同时发送关机前配置指令;当检测到关机前配置完成时,发送关闭其他电源单元下电指令,并发送将缓存数据存入非易失内存的指令;本申请在非易失内存的基础上增加了电池备份单元,能够确保在异常掉电情况下将缓存数据及时存入非易失内存从而防止数据丢失,填补了国内相关技术领域的空白,同时也未加入超级电容对板卡空间以及内存密度产生影响。
技术领域
本发明涉及计算机存储技术领域,特别是涉及一种非易失性内存的异常掉电数据保护方法及装置。
背景技术
非易失内存是目前服务器设计探索的新方向之一,有别于常规的DDR DRAM,非易失内存掉电后数据可以完整保存在内存中。目前的非易失内存多使用Flash作为存储介质,由于Flash的读写速度较内存控制器响应速度慢很多,一般会在内存控制器和非易失内存之间加入一级缓存用来缓解二者速度上的差异,数据通过缓存在内存控制器和非易失内存之间进行交互,这么做既具有数据非易失性,又能兼顾数据读写的性能。由于缓存不具有非易失性,这种设计只能做到正常关机下的数据非易失,一旦发生异常掉电,缓存中的数据来不及存入非易失内存就会丢失,因此在设计时,考虑异常掉电情况下缓存数据不丢失,且有时间存入非易失内存就显得非常重要。
在X86领域,现有技术方案主要被国外厂商垄断,使用国外厂商的非易失内存条外加超级电容的方案,当异常掉电发生时,外部超级电容开始为非易失内存条,可实现掉电数据保护,但国内技术尚处于空白。此外,使用非易失内存条外加超级电容方案,目前也处于验证阶段,由于超级电容电量有限,一般来说一条非易失内存需要搭配一个超级电容,这在一定程度上牺牲了板卡有限的空间,对板上内存的密度有很大的限制,结构设计也会面临很大的挑战。
因此,如何能够在异常掉电情况下将缓存数据及时存入非易失内存,是目前亟待解决的问题。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明提供了一种非易失性内存的异常掉电数据保护方法及装置,能够确保在异常掉电情况下将缓存数据及时存入非易失内存从而防止数据丢失。
第一方面,提供非易失性内存的异常掉电数据保护方法,包括:
检测PSU的电源信号是否发生异常;
当检测到PSU的电源信号发生异常时,切换BBU进行供电,同时发送关机前配置指令;
当检测到关机前配置完成时,发送关闭其他电源单元下电指令,并发送将缓存数据存入非易失内存的指令。
结合第一方面,在第一方面的第一种可能的实现方式中,
所述检测PSU的电源信号是否发生异常,包括:
检测PSU输出电压;
当检测到PSU输出电压小于某一阈值时,输出异常掉电标志位,并通知可编程逻辑控制单元PSU发生异常掉电。
结合第一方面,在第一方面的第二种可能的实现方式中,所述非易失性内存的异常掉电数据保护方法,具体包括:
检测PSU的输出电压;
当检测到PSU输出电压小于某一阈值时,电源监控单元发出异常掉电标志位,并通知可编程逻辑控制单元PSU发生异常掉电;
可编程逻辑器件收到异常掉电标志位后,立即控制BBU电源开始供电,并通知PCH开始控制系统执行关机前配置流程;
检测关机前配置完成标志;
当检测到关机前配置完成标志,PCH控制操作系统完成关机前配置流程,可编程逻辑控制单元控制其他电源供电单元下电,并通知非易失内存控制器开始存储缓存数据,将缓存数据存入非易失内存;
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