[发明专利]一种锂离子电池用纳米硅复合负极材料在审

专利信息
申请号: 201810279235.7 申请日: 2018-03-31
公开(公告)号: CN108598391A 公开(公告)日: 2018-09-28
发明(设计)人: 李能;皮涛;黄越华;王志勇;肖志平;李钰;邵浩明 申请(专利权)人: 湖南中科星城石墨有限公司
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525
代理公司: 长沙市护航专利代理事务所(特殊普通合伙) 43220 代理人: 杨水根
地址: 410600 湖南*** 国省代码: 湖南;43
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 复合负极材料 石墨基体 纳米硅 锂离子电池用 模型结构 鸡蛋 首次充放电效率 蛋壳 表面包覆技术 发明制备工艺 纳米硅材料 循环稳定性 表面改性 负极材料 环境友好 纳米复合 蛋黄 包覆层 比容量 导电碳 硅合金 石墨烯 制备 蛋白
【说明书】:

发明涉及一种锂离子电池用纳米硅复合负极材料,所述复合负极材料为“鸡蛋”模型结构,蛋黄为石墨基体、均匀分散在石墨基体内部及其表面的纳米硅材料,蛋白为均匀分散在石墨基体及纳米硅表面的石墨烯,蛋壳为导电碳包覆层。本发明结合纳米复合、表面改性及表面包覆技术,制备了具有“鸡蛋”模型结构的硅合金负极材料,具有高比容量、高首次充放电效率及优异的循环稳定性。本发明制备工艺简单、环境友好无污染。

技术领域

本发明属于锂离子电池技术领域,特别涉及一种锂离子电池用纳米硅复合负极材料及其制备方法,以及使用该负极材料制备的锂离子电池。

背景技术

目前随着全球性石油资源紧缺与气候环境的不断恶化,发展清洁节能的新能源汽车受到世界各国的高度重视。新能源汽车的发展,关键在其动力电源。目前,商业化的锂离子电池主要采用石墨类负极材料,但它的理论比容量仅为372mAh/g,无法满足未来锂离子电池对高能量密度的需求。所以开发高性能新型电极材料成为研究重点。

硅具有超高的理论比容量(4200mAh/g)和较低的脱锂电位(<0.5V),且硅的电压平台略高于石墨,在充电时难引起表面析锂,安全性能更好,硅成为锂离子电池碳基负极换代的富有潜力的选择之一,但硅作为锂离子电池负极材料也有缺点:(1)硅材料在充放电过程中容易发生体积膨胀,导致导电网络崩塌,影响电循环性能;(2)硅是半导体材料,自身的电导率较低,在充放电循环过程中,锂离子的脱嵌会导致材料发生300%以上的体积膨胀和收缩,从而造成材料结构的破坏和粉化,致使容量迅速衰减,循环性能恶化。(3)硅材料在循环过程中易腐蚀,容量衰减;(4)由于硅材料的体积效应,在电解液中难以形成稳定的固态电解质界面(SEI)膜,伴随着电极结构的破坏,在暴露出的硅表面不断形成新的SEI膜,加剧了硅的腐蚀和容量衰减。

分析认为硅材料在脱嵌锂过程中体积膨胀收缩较大是造成材料破坏和粉碎,是导致容量衰减较快的主要原因。如CN 103474667A公开了一种硅碳复合负极材料,包括纳米硅/石墨颗粒,第一碳包覆层和有机裂解层,其中纳米硅/石墨颗粒是以石墨为内核,包覆纳米硅颗粒层,形成的球状或类球状的复合颗粒。

CN 104617269公开了一种硅合金复合负极材料,使用石墨与涂覆在石墨表面的硅合金为内核,外壳为裂解碳,结合纳米复合、表面改性及包覆改性技术,制备了具有核壳结构的硅合金复合负极材料,该负极材料压实密度高、加工性能好、导电性高、首次效率高、循环性能优越。但该方法制备出的复合材料金属杂质含量偏高,易发生自放电,并且高温存储差。

CN 105070894 A 公开了一种锂离子电池用多孔硅基复合负极材料,所述负极材料为胶囊结构,囊芯为非晶态多孔硅,囊壁为导电碳材料,非晶态多孔硅的粒径为10-300nm,非晶态多孔硅的孔径为0.5~100nm,所述囊壁的厚度为0.5-10μm,该方法制备的复合材料比容量高,膨胀低,加工性能优良。但该方法制备出的复合材料内部孔隙较多,振实密度较低,体积能量密度不高。

因此,开发一种工艺简单,性能优异且环境友好的纳米硅基复合负极材料的制备方法是锂离子电池领域的重要研究方向。

发明内容

针对现有技术的不足,本发明的目的之一在于提供一种锂离子电池用纳米硅复合负极材料,其特征在于,所述纳米硅复合负极材料为“鸡蛋”模型结构,蛋黄为石墨基体、分散在石墨内部及其表面的纳米硅,蛋白为均匀分散在石墨基体及纳米硅表面的石墨烯,蛋壳为导电碳包覆层。

优选地,所述蛋壳采用裂解碳制成。

优选地,所述裂解碳为有机物裂解碳,优选为聚合物、沥青、糖类和高分子材料中的一种或至少两种的组合,进一步优选为沥青、酚醛树脂、环氧树脂、聚乙烯醇、聚乙二醇、聚丙烯腈、聚环氧乙烷中的一种或至少两种的组合。

优选地,所述蛋黄中的纳米硅为多晶硅、单晶硅、非晶硅,优选为,单分散的多晶硅或单晶硅颗粒。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南中科星城石墨有限公司,未经湖南中科星城石墨有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810279235.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top