[发明专利]一种存储装置数据安全动态监控方法

说明书

本发明公开了一种存储装置数据安全动态监控方法，其特征在于存储装置增加数据扫描进程，存储装置定期检测是否满足数据扫描启动条件，当满足数据扫描启动条件时，启动对存储装置进行全盘扫描操作，所述全盘扫描按block为单位分别检查各个block存储的块标志BEC值，如果所述块标志BEC值大于所述安全阈值，则将该block存储的数据搬移到新的数据块中，所述块标志BEC值取该block读取操作时检测到的各个页产生的最大BEC值。提出了通过监控各个block中最容易出错的数据页区间来实现动态监控存储装置数据安全，相比于全盘全数据的扫描，大大节约了系统资源，有效解决了因为监测所发生的读操作会占用NAND Flash带宽和系统内存资源的问题。

技术领域

本发明涉及存储技术领域，尤其涉及存储装置数据安全动态监控方法。

背景技术

NAND Flash存储数据的最小单位是Cell。SLC的Cell可以表示0和1两种状态，MLC则是00、01、10和11四种状态，TLC则是000、001、010、011、100、 101、110和111八种状态。它们都是通过充、放电子来实现的。当静置时，或者是受其它Page的影响，或者是Block寿命的影响，Cell不是一直稳定的，它所保存的电子可能会慢慢遗失，从而发生Bit错误，进而导致数据丢失。

如果NAND Flash上的数据长时间没有访问，那么问题就更加突出，因为无法评估电子流失的程度。如果Bit错误个数超过了ECC纠错能力，那么数据就无法修复。所以需要采取一种措施：动态地、周期性地检测数据的可靠性。当检测到数据不可靠时，就把它复写到其它Block上。

针对NAND Flash Cell电子流失的特性，目前绝大部分技术采用的是：当读某个Page发生可纠错的ECC错误correctable ECC error时，把所在Block 的有效页数据搬移到新的Block上。这样的算法或方案的弊端在于：如果某个 Block长时间没有进行读操作，那么即使它内部Cell电子流失严重，也无法被发现，也就不会发生后续数据的搬移，最终导致数据不可修复而丢失。随着3D TLC NAND Flash逐渐兴起，这个问题愈加明显(3D TLC的Cell要表示8种状态，状态偏转而出现错误概率更大)。

因此有技术提出增加全盘的监控策略,图1是现有监控方案示意图,主机需要访问到这块数据时，才触发读这个物理地址时，对这个物理地址上的数据进行判断,当不加区分的对所有数据块的所有页都进行扫描监控,发生错误时通过纠错模块进行纠错处理，因此系统消耗加大,存在较大的浪费。

发明内容

针对以上缺陷，本发明目的在于如何减少监测所发生的读操作会占用NAND Flash带宽和系统内存资源的问题。

为了实现上述目的，本发明提供了一种存储装置数据安全动态监控方法，其特征在于存储装置增加数据扫描进程，存储装置定期检测是否满足数据扫描启动条件，当满足数据扫描启动条件时，启动对存储装置进行全盘扫描操作，所述全盘扫描按block为单位分别检查各个block存储的块标志BEC值，如果所述块标志BEC值大于所述安全阈值，则将该block存储的数据搬移到新的数据块中，所述块标志BEC值取该block读取操作时检测到的各个页产生的最大BEC 值。

所述的存储装置数据安全动态监控方法，其特征在于根据存储装置的存储颗粒的类型获取各个block中最容易出现错误的页作为该block的检查页，所述全盘扫描逐个block读取该block的检测页，获得该检测页的BEC值，并将该 BEC值存储为块标志BEC值。

所述的存储装置数据安全动态监控方法，其特征在于存储装置各个页读取操作完成后，增加比较该页读取发现的BEC值是否大于已经存储的块标志BEC值，如果大于则将该页读取发现的BEC值更新到该块的块标志BEC值。