[发明专利]包括可变电阻材料层的存储器件

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

可变电阻层；以及

电连接到所述可变电阻层的选择器件层，其中所述选择器件层包括具有根据下面的化学式1的组成的硫族化合物开关材料，

[Ge_ASe_BTe_C]_(1-U)[X]_U·················(1)

其中，0.20≤A≤0.40，0.40≤B≤0.70，0.05≤C≤0.25，A+B+C＝1，0.0≤U≤0.20，并且其中X是从硼(B)、碳(C)、氮(N)、氧(O)、磷(P)或硫(S)中选择的至少一种。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中在所述化学式1中，A的范围从0.25到0.35，B的范围从0.45到0.65，C的范围从0.10到0.20。

3.根据权利要求1所述的存储器件，其中在所述化学式1中，当X是硼(B)时，U的范围从0.001到0.20，当X是碳(C)时，U的范围从0.001到0.10，当X是氮(N)时，U的范围从0.08到0.20，当X是磷(P)时，U的范围从0.001到0.08，当X是硫(S)时，U的范围从0.001到0.08。

4.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述硫族化合物开关材料具有根据下面的化学式2的组成，其中砷(As)被进一步添加到所述化学式1中，

[Ge_ASe_BTe_CAs_D]_(1-U)[X]_U···················(2)

其中，0.20≤A≤0.35，0.45≤B≤0.65，0.04≤C≤0.18，0.0≤D≤0.18，A+B+C+D＝1，0.0≤U≤0.20，并且其中X是从硼(B)、碳(C)、氮(N)、氧(O)、磷(P)或硫(S)中选择的至少一种。

5.根据权利要求4所述的存储器件，其中在所述化学式2中，A的范围从0.20到0.30，B的范围从0.45到0.60，C的范围从0.04到0.18，D的范围从0.04到0.18。

6.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述硫族化合物开关材料不包括硅(Si)。

7.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述硫族化合物开关材料不包括锑(Sb)。

8.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述硫族化合物开关材料被配置为具有双向阈值开关(OTS)特性。

9.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述可变电阻层包括具有与所述硫族化合物开关材料的组成不同的组成的硫族化合物存储材料，所述硫族化合物存储材料包括从硅(Si)、锗(Ge)、锑(Sb)、碲(Te)、铋(Bi)、铟(In)、锡(Sn)或硒(Se)中选择的至少两种。

10.根据权利要求9所述的存储器件，其中所述硫族化合物存储材料还包括从硼(B)、碳(C)、氮(N)或氧(O)中选择的至少一种，并且所述硫族化合物存储材料的熔点小于800℃。