[发明专利]一种四相双逾渗电磁屏蔽材料及其制备方法

说明书

本发明公开了一种电磁屏蔽材料，它包括重量份数比的以下成分制成：ABS 35～45份、PA66 45～55份、镀银碳纤维2～18份、EG 2～18份、增塑剂0.5～1份、增溶剂2～4份、抗氧剂0.5～1份。本发明电磁屏蔽材料突破传统的熔融共混工艺，设计制备双逾渗结构的工艺参数、加工顺序、挤出工艺，极大地降低CF的逾渗阀值。此方法生产效率高，操作简单，且能极大地降低材料成本，利于大批量工业化生产。

技术领域

本发明涉及一种电磁屏蔽材料，特别是一种四相双逾渗电磁屏蔽材料，属于电子封装材料技术领域。

背景技术

高性能电子封装材料贯穿了电子封装技术的设计、工艺、测试等多个技术环节，起到至关重要的作用，以封装材料与工艺为核心的封装技术辐射到航天、通讯、汽车、电子等各个领域。

随着电子科学技术的快速发展进行，封装技术的升级换代需求旺盛，而且市场对于封装技术的要求会越来越高，相应的电子封装材料的品质也会要求越来越高。集成密度越来越大的电子封装技术，对于封装材料耐受高频率、高功率、高散热性能要求必然不断提高。

电子设备使用过程中因为静电、发热、电磁辐射等导致的性能瓶颈显得越发的突出明显，由于静电、散热、电磁辐射等导致的电子设备故障、机密泄露等问题，造成的生命财产损失呈逐年暴增的趋势。

电子封装材料主要有塑封料、陶瓷封装材料和金属封装材料。目前以塑封料需求量为最大，陶瓷封装材料次之。塑封料以其成本低、工艺简单而适于大规模生产，在集成电路的封装中已独占鳌头。

现有的封装采用主要采用常规的塑料封装层，其中通过添加一定的改性填料，增强封装材料的散热、防辐射等性能。但是，由于材料相互之间的相容性较差，封装过程分层问题难以克服。如果封装材料出现分层，轻则导致封装效果急剧下降，重则损坏内部的集成电路。

目前关于现有的塑封料的研究，已经有一些研究者取得了较好的成果，但大多研究集中于单一的导热或导电性能的提升，例如提升复合材料的电磁屏蔽效果、改善材料的热导率等。难以满足复合性能要求，在实际的应用场景中，这种单一化的研究成果由于种种限制因素，往往难以充分实施利用。某些报道的封装材料虽然具有较好的导热性，但是材料的均匀性、稳定性欠佳，容易出现局部过热点，造成塑料封装件局部失效，无法安全可靠的进行工业化大规模应用。

如何寻找一种具备良好的机械性能、加工性能的封装材料，是迫切需要解决的问题，同时这种电路封装复合材料还需要兼具高导热性、防静电及电磁屏蔽的效果。

发明内容

本发明目的是为了克服现有技术中电子封装材料难以同时满足散热、静电防护、电磁屏蔽等方面性能要求的不足，提供一种四相双逾渗电磁屏蔽材料及其制备方法。

为了实现上述发明目的，本发明提供一种技术方案：

一种电磁屏蔽材料，它包括重量份数比的以下成分制成：

ABS 35～45份、PA66 45～55份、镀银碳纤维(APCF)2～18份、EG 2～18份、增塑剂0.5～1份、增溶剂2～4份、抗氧剂0.5～1份。

本发明电磁屏蔽材料以ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物，ABS塑料)和PA66(尼龙66)作为两相基础相结构，其中以热塑性树脂ABS作为第一相基体，以PA66作为第二相基体，第一相软化温度低于第二相的软化点，在第一相软化前加入填料进行混合。由于软化温度低于第二相软化点，因此第二相在混合和熔融过程中不变形，第一相中的填料不会分布在第二相基体中，而是只分布在第一相基体中，控制第二相基体的加入量可以保证第一相基体在整个复合材料中连续，从而得到双逾渗结构的复合材料。