[发明专利]像素驱动电路及具有像素驱动电路的显示装置有效

专利信息
申请号: 201810199429.6 申请日: 2018-03-12
公开(公告)号: CN108597448B 公开(公告)日: 2020-02-04
发明(设计)人: 陈柏辅;李国胜 申请(专利权)人: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
主分类号: G09G3/3233 分类号: G09G3/3233
代理公司: 44334 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 代理人: 刘永辉;徐丽
地址: 518109 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 驱动晶体管 像素驱动电路 存储电容 电性连接 控制晶体管 晶体管 重置晶体管 发光元件 控制信号 显示装置 漏极 源极 电压提供 偏置电压 扫描信号 电流型 数据线 重置
【说明书】:

一种电流型像素驱动电路包括初始晶体管、驱动晶体管、控制晶体管、重置晶体管、第一存储电容、第二存储电容及发光元件。初始晶体管在接收的扫描信号有效时提供偏置电压给驱动晶体管。控制晶体管在接收的控制信号有效时将数据线上的电压提供给驱动晶体管。重置晶体管在接收的控制信号有效时重置发光元件。驱动晶体管包括第一栅极和第二栅极。第一栅极与初始晶体管的源极电性连接。第二栅极与控制晶体管的源极电性连接。第一存储电容的两端分别与第一栅极和驱动晶体管的漏极电性连接。第二存储电容的两端分别与第二栅极和驱动晶体管的漏极电性连接。本发明还提供一种具有像素驱动电路的显示装置。

技术领域

本发明涉及一种像素驱动电路及具有像素驱动电路的显示装置。

背景技术

有机发光二极管(organic light emitting diode,OLED)作为一种发光器件,因其所具有的自发光、快速响应、宽视角和可制作在柔性衬底上等特点而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。采用OLED的显示装置通常包括呈矩阵设置的像素单元。每个像素单元对应一个像素驱动电路。像素驱动电路包括开关晶体管、驱动晶体管、重置晶体管、存储电容及OLED。像素驱动电路至少依次工作在重置阶段、补偿写入阶段以及发光阶段。在重置阶段,重置晶体管导通以重置驱动晶体管和\或OLED,以使得数据线上的显示用资料信号可正常写入至驱动晶体管。在写入补偿阶段,开关晶体管自扫描线上读取扫描信号,在扫描信号处于有效状态时,如为高电平时,相应的扫描线被扫描,开关晶体管导通,数据线上的显示用资料信号经由导通的开关晶体管对存储电容进行充电,以将资料信号存储在驱动晶体管的栅极并补偿驱动晶体管的阈值电压。在发光阶段,存储电容放电,驱动晶体管导通并将接收到的电源电压转化为对应的驱动电流以驱动OLED发光。然而,当显示器尺寸和解析度变大时,随着像素单元数量的增加,每个像素驱动电路工作在补偿写入阶段的时间变短,导致驱动晶体管的阈值电压得不到充分的补偿,进而导致OLED的亮度降低,无法保证有机发光显示器的显示效果。

发明内容

有鉴于此,有必要提供一种提高显示效果的像素驱动电路。

还有必要提供一种提高显示效果的具有像素驱动电路的显示装置。

一种像素驱动电路为电流型像素驱动电路。像素驱动电路包括初始晶体管、驱动晶体管、控制晶体管、重置晶体管、第一存储电容及发光元件。初始晶体管在接收扫描线上的扫描信号有效时提供偏置电压给驱动晶体管。控制晶体管在接收控制线上的控制信号有效时将数据线上的电压并提供给驱动晶体管。重置晶体管在所述控制信号有效时重置发光元件。发光元件的阴极接收接地电压。像素驱动电路进一步包括第二存储电容。驱动晶体管为双栅极晶体管,其包括第一栅极和第二栅极。第一栅极与初始晶体管的源极电性连接。第二栅极与控制晶体管的源极电性连接。第一存储电容的两端分别与第一栅极和驱动晶体管的源极电性连接。所述像素驱动电路在第一帧内依次工作在初始阶段和补偿阶段。在所述初始阶段,所述第一栅极初始,所述发光元件停止发光并被重置。在所述补偿阶段,所述驱动晶体管的第一阈值电压存储于所述第一存储电容。其中,所述第一阈值电压为所述驱动晶体管在所述第一帧根据第一参考电压具有的临界导通电压。在所述扫描线上的扫描信号和所述控制线上的控制信号均有效时,使得所述像素驱动电路工作在所述初始阶段。在所述初始阶段,所述初始晶体管、所述控制晶体管、所述重置晶体管以及所述驱动晶体管均导通,所述偏置电压被提供给所述第一栅极,以实现所述驱动晶体管的初始,所述数据线上的第一参考电压提供给所述第二栅极。所述重置晶体管将第二参考电压提供给所述发光元件的阳极,所述第二参考电压小于所述发光元件的阴极电压,所述发光元件不发光;在所述扫描线上的扫描信号有效且所述控制线上的控制信号无效时,使得所述像素驱动电路工作在所述补偿阶段;在所述补偿阶段,所述扫描线上的扫描信号有效,所述控制线上的控制信号无效,所述初始晶体管以及所述驱动晶体管均导通,所述控制晶体管及所述重置晶体管均截止,所述驱动晶体管的第一阈值电压存储于所述第一存储电容上。

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