[发明专利]检测聚晶金刚石复合片脱钴深度的装置及方法

权利要求书

1.检测聚晶金刚石复合片脱钴深度的装置，其特征在于：包括用于放置聚晶金刚石复合片（2）的高度测量仪（1）、用于测量所述聚晶金刚石复合片（2）的聚晶金刚石层（22）的导电性的第一导线（3）和第二导线（4），所述第一导线（3）和第二导线（4）的另一端与直流低电阻仪（31）电性连接。

2.根据权利要求1所述的检测聚晶金刚石复合片脱钴深度的装置，其特征在于：所述高度测量仪（1）上固定有一杆体（5），所述杆体（5）上设有一可上下移动的高度传感器（6）。

3.根据权利要求2所述的检测聚晶金刚石复合片脱钴深度的装置，其特征在于：所述高度传感器（6）上固定有一探针（7），所述探针（7）与所述第二导线（4）固定连接，所述探针（7）的末端可做伸缩运动并抵接于所述聚晶金刚石复合片上。

4.根据权利要求3所述的检测聚晶金刚石复合片脱钴深度的装置，其特征在于：所述高度测量仪（1）包括一可自转地基座，所述聚晶金刚石复合片（2）固定设置在所述基座上。

5.根据权利要求1所述的检测聚晶金刚石复合片脱钴深度的装置，其特征在于：所述直流低电阻仪（31）还与用于实时分析记录数据的数据处理显示器（32）电性连接。

6.根据权利要求5所述的检测聚晶金刚石复合片脱钴深度的方法，其特征在于：包括如下步骤：

S1、准备步骤，将所述聚晶金刚石复合片（2）放置于所述基座上，所述第一导线（3）与所述聚晶金刚石复合片（2）的硬质合金基体（21）紧贴，所述第二导线（4）与所述聚晶金刚石复合片（2）的聚晶金刚石层（22）紧贴，打开所述直流低电阻仪（31）对其校准清零；所述第二导线（4）对准于所述聚晶金刚石复合片（2）的聚晶金刚石层（22）的顶面；

S2、检测步骤，水平旋转所述聚晶金刚石复合片（2），所述聚晶金刚石复合片（2）旋转使所述第二导线（4）在所述聚晶金刚石复合片（2）的表面划过，每隔amm所述直流低电阻仪（31）记录1个电阻数据值；

S3、分析步骤，分析S2步骤所得到的数据，判断聚晶金刚石层（22）的导电性，当所述直流低电阻仪（31）测量得到的所述电阻数据值为无穷大或无数据显示时，执行S4步骤；当所述直流低电阻仪（31）测量其一周得到的所述电阻数据值均有数据值时，执行S5步骤；

S4、移动步骤，与所述聚晶金刚石复合片（2）的聚晶金刚石层（22）紧贴的所述第二导线（4）向下移动b mm，重复S2-S3步骤；

S5、完成检测步骤，确定某一个高度范围内的金刚石层不含钴。

7.根据权利要求6所述的检测聚晶金刚石复合片脱钴深度的方法，其特征在于：所述a取值为0.5~2mm。

8.根据权利要求6所述的检测聚晶金刚石复合片脱钴深度的方法，其特征在于：所述b取值为0.02~0.1mm。

9.根据权利要求6所述的检测聚晶金刚石复合片脱钴深度的方法，其特征在于：当所述直流低电阻仪（31）测量某一圈时，得到的所述电阻数据值为有数据值时，认为该高度金刚石层尚未脱钴干净。