[发明专利]低频振荡电路及偏置电压和电流产生电路

说明书

本发明公开了一种低频振荡电路，由偏置电压和电流产生电路、振荡电路组成；所述偏置电压和电流产生电路由第一PMOS晶体管～第三PMOS晶体管、第一NMOS晶体管～第四NMOS晶体管、第一电阻组成；所述振荡电路由第四PMOS晶体管、第五NMOS晶体管、第一反相器、第一比较器、第二比较器、第一RS触发器、第一电容组成。本发明还公开了一种用于所述低频振荡电路的偏置电压和电流产生电路。本发明能够在不增加额外电路的情况下，使参考电流和参考电压同源。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种低频振荡电路。本发明还涉及一种用于所述低频振荡电路的偏置电压和电流产生电路。

背景技术

片上低功耗低频振荡器在智能卡,微控制器(MCU)等产品中用于待机时钟，上电计数等。典型低功耗低频振荡器频率为32KHz～500KHz。

图1是一种现有的低频振荡电路，其由两个比较器CMP1、CMP2，一个RS触发器、两个电容CAPP、CAPN，四个电子开关S1～S4，以及一个电流源ID组成。

所述电流源ID的一端与电源电压VDD相连接，该电流源ID的另一端与电子开关S1、S2的一端相连接。电子开关S1的另一端与电子开关S4的一端、电容CAPN的一端以及比较器CMP2的正向输入端相连接。电子开关S2的另一端与电子开关S3的一端、电容CAPP的一端以及比较器CMP1的正向输入端相连接。比较器CMP1、CMP2的反向输入端均输入参考电压VREF。

电子开关S4、S3的另一端、电容CAPP、CAPN的另一端均接地。

比较器CMP1的输出端与RS触发器的S端相连接，比较器CMP2的输出端与RS触发器的R端相连接，RS触发器的输出端Q与电子开关S2、S4的控制端相连接，S触发器的输出端Q非与电子开关S1、S3的控制端相连接。

上述低频振荡电路的工作原理是：

当电容CAPP的充电电压小于参考电压VREF时，比较起CMP1输出低电平，RS触发器S端有效，电子开关S2和电子开关S4闭合，电子开关S1和电子开关S3打开，电容CAPN放电，电容CAPP充电，反之亦然，形成弛豫振荡。这种传统的低频振荡电路存在的缺点是，参考电流和参考电压不同源。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种低频振荡电路，能够在不增加额外电路的情况下，使参考电流和参考电压同源；为此，本发明还要提供一种偏置电压和电流产生电路。

为解决上述技术问题，本发明的低频振荡电路，包括：

第一PMOS晶体管～第四PMOS晶体管，该第一PMOS晶体管～第四PMOS晶体管的源极与电源电压端VDD相连接，第一PMOS晶体管的栅极和漏极与第二PMOS晶体管的栅极、第一NMOS晶体管的漏极相连接，其连接的节点记为PB；第二PMOS晶体管的漏极与第三PMOS晶体管的栅极、第四PMOS晶体管的栅极、第二NMOS晶体管的漏极相连接，其连接的节点记为PG；

第一NMOS晶体管的源极与第二NMOS晶体管的源极和第四NMOS晶体管的漏极相连接；第三PMOS晶体管的漏极与第一电阻的一端、第一NMOS晶体管的栅极相连接，其连接的节点记为NBR；第一电阻的另一端与第二NMOS晶体管的栅极、第三NMOS晶体管的漏极和栅极、第四NMOS晶体管的栅极相连接，其连接的节点记为NB；

第四PMOS晶体管的漏极与第一反相器的正电源端相连接，第五NMOS晶体管的漏极与第一反相器的负电源端相连接，第一反相器的输出端与第一比较器的反向输入端、第二比较器的正向输入端、第一电容的一端相连接，其连接的节点记为VC；第一比较器的正向输入端与所述节点NBR相连接，第二比较器的反向输入端和第五NMOS晶体管的栅极与所述节点NB相连接；