[发明专利]高频放大器

权利要求书

1.一种高频放大器，其特征在于，包括：

第1晶体管，其源极接地；

第2晶体管，其与所述第1晶体管构成栅地-阴地放大器电路；

串联电路，其连接于所述第2晶体管的栅极和接地之间，且第1电阻元件及串联共振电路串联连接；以及

第2电阻元件，其与所述串联电路并联连接，

所述串联共振电路由LC电路构成，

所述高频放大器还包括各LC元件的值不同的多个所述串联电路，各个所述串联电路连接于所述第2晶体管的栅极和接地之间，

使多个所述串联电路所包含的所述第1电阻元件各自的电阻值为所述第2电阻元件的电阻值以下，且多个所述串联电路所包含的所述第1电阻元件各自的电阻值互不相同，

第1晶体管的栅极连接于输入端子，

第2晶体管的漏极连接于输出端子，

输入端子被输入高频信号，从输出端子输出被放大的所述高频信号。

2.根据权利要求1所述的高频放大器，其特征在于，

在使所述第1电阻元件及第2电阻元件的电阻值分别为R1、R2，使所述第2晶体管的跨导为gm的情况下，满足1/gm＜R1≦R2＜

30/gm。

3.根据权利要求1或2所述的高频放大器，其特征在于，

构成所述串联共振电路的LC电路分别包括第1电感元件和第1电容元件，

所述第1电感元件的值和第1电容元件的值被设定为：在所述高频放大器的使用频率频带的高频侧的频率中为串联共振条件。

4.根据权利要求1或2所述的高频放大器，其特征在于，

所述高频放大器包括第3电阻元件和第2电容元件，

所述第3电阻元件连接于所述第1晶体管的源极和接地之间，

所述第2电容元件连接于所述第1晶体管的源极和接地之间。

5.根据权利要求1或2所述的高频放大器，其特征在于，

所述高频放大器包括第4电阻元件和第3电容元件，

所述第4电阻元件和第3电容元件构成串联连接的反馈串联电路，所述反馈串联电路的一端连接于所述输入端子，另一端连接于所述输出端子。

6.根据权利要求1或2所述的高频放大器，其特征在于，

第2晶体管的耐压低于第1晶体管的耐压。

7.根据权利要求1或2所述的高频放大器，其特征在于，

第1电感元件由键合线构成。