[发明专利]噪声抑制装置有效
申请号: | 201810170796.3 | 申请日: | 2018-03-01 |
公开(公告)号: | CN108667314B | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 栗本正树;近藤幸一;池田昌 | 申请(专利权)人: | 株式会社东金 |
主分类号: | H02M7/00 | 分类号: | H02M7/00;H02M1/08;H02M1/32;H01F41/24;H01F41/22 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 袁波;刘继富 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 噪声 抑制 装置 | ||
1.一种噪声抑制装置,具备:
第一电路,输出矩形波的输出信号;
第二电路,被输入输入信号;
具有导线的传输线路,所述导线连接所述第一电路和所述第二电路并将所述输出信号作为所述输入信号进行传递;以及
噪声抑制部件,被设置成覆盖所述传输线路的周围的至少一部分,
所述噪声抑制装置的特征在于:
所述噪声抑制部件具有通过将磁性粉末分散在结合剂内而成的构造,
所述噪声抑制部件的从500MHz到3GHz的复数磁导率的虚部μ”为5以上且30以下,
所述噪声抑制部件的厚度t为20μm以上且10000μm以下,
所述噪声抑制部件被配置在距所述传输线路的所述导线0.05mm以上且5mm以下的距离处。
2.根据权利要求1所述的噪声抑制装置,其特征在于,
所述噪声抑制部件的厚度t为1000μm以下。
3.根据权利要求1所述的噪声抑制装置,其特征在于,
所述第一电路形成在第一基板上,
所述第二电路形成在第二基板上,
所述第一基板和所述第二基板在物理上分离。
4.根据权利要求1所述的噪声抑制装置,其特征在于,
所述噪声抑制部件是复合磁性片。
5.根据权利要求1所述的噪声抑制装置,其特征在于,
所述噪声抑制部件被配置在距所述传输线路的所述导线0.15mm以上且0.2mm以下的距离处。
6.根据权利要求1所述的噪声抑制装置,其特征在于,
所述噪声抑制部件的复数介电常数的实部ε'为1000以下,而且,所述复数介电常数的虚部ε”与所述实部ε'之比ε”/ε'为0.5以下。
7.根据权利要求6所述的噪声抑制装置,其特征在于,
所述噪声抑制部件的所述复数介电常数的所述实部ε'为300以下,而且所述复数介电常数的所述虚部ε”与所述实部ε'之比ε”/ε'为0.1以下。
8.根据权利要求1所述的噪声抑制装置,其特征在于,
在所述传输线路的延伸方向上,从所述第一电路到所述噪声抑制部件的端部的距离比与抑制对象即电磁噪声的波长相等的距离短。
9.根据权利要求1所述的噪声抑制装置,其特征在于,
在所述传输线路的延伸方向上,所述噪声抑制部件的长度为20mm以上。
10.根据权利要求1所述的噪声抑制装置,其特征在于,
所述噪声抑制装置是还具备开关元件的开关电源装置,
所述第一电路是生成并输出所述输出信号的脉冲信号生成电路,
所述第二电路是基于所述输入信号驱动所述开关元件的驱动器电路。
11.根据权利要求10所述的噪声抑制装置,其特征在于,
所述开关电源装置是逆变器装置,
所述脉冲信号生成电路是PWM信号生成电路。
12.根据权利要求1所述的噪声抑制装置,其特征在于,
所述噪声抑制装置还具备第三电路、第四电路和第五电路、附加传输线路、以及附加噪声抑制部件,
所述第三电路是开关器件,
所述第四电路和所述第五电路通过所述附加传输线路彼此连接,
所述附加噪声抑制部件设置在所述附加传输线路的周围的至少一部分上,
所述附加噪声抑制部件具有通过将磁性粉末分散在结合剂内而成的结构,
所述附加噪声抑制部件的从500MHz到3GHz的复数磁导率的虚部μ”为5以上且30以下,
所述附加噪声抑制部件的厚度t为20μm以上,
所述附加噪声抑制部件被配置在距所述附加传输线路的所述导线0.05mm以上且5mm以下的距离处。
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