[发明专利]气体管路结构及其排气处理方法

说明书

本发明有关于一种气体管路结构及其排气处理方法，是一种提供加热后的特殊气体与化学气相沉积装置所产生的废弃混合的气体管路结构与排气处理方法；本发明至少包括有一气管、一输气孔，以及一环体；藉此，本发明藉由在气管内加装气体流道与复数个气孔的硬体设计，有效使经过加热后的氮气与化学气相沉积装置的制程后所产生的废气于气管内混合，以避免排气管路中的废气凝结成粉尘而沉积于排气管内部而减损气管的流通性，确实达到提升废气的流速以输出至废气处理器并提升气管的流通性的主要优势。

技术领域

本发明有关于一种气体管路结构及其排气处理方法，尤其是指一种提供加热后的特殊气体与化学气相沉积装置所产生的废弃混合的气体管路结构与排气处理方法。

背景技术

按，在现行半导体制程中的扩散(Diffusion)和沉积(Deposition)等步骤中，必须透过不同气体在晶圆(Wafer)表面产生反应的机制，藉以形成一层氧化薄膜；请参阅图1所示，为传统化学气相沉积装置的废气处理示意图，由于半导体制程所使用的化学气相沉积装置A在每批晶圆生产过程中皆会伴随废气的排放，而这些废气在通过真空泵浦B之后，会因为废气排气管路C的温度降低而形成冷凝现象，使得废气容易凝结为粉尘而沉积在排气管路C的内壁上，日积月累下容易造成排气管路C内径缩小甚至堵塞，最后导致排气管路C的排气量不足而引发工安或卫生等问题，更甚者可能使得排气管路起火而引起火灾与爆炸等危险。

中国台湾新型专利第M534806号的“加热设备的结构”即被研发以解决上述的问题，请再一并参阅图1所示，该专利主要包括有一通道管D、一进气端D1与一加热器E，透过进气端D1先将气体导入通道管D，并同时由加热器E对气体进行加热动作，最后由通道管D的复数穿孔(图式未标示)进入通道管D，并由通道管D导引气体，而透过通道管D所环设的复数穿孔，乃可使气体增加流动的作用行程同时可平均通道管D内气体的温度；然而，由于此专利的穿孔环设于通道管D的管身，且进气端D1套设于通道管D的外部，且进气端D1横向设置于通道管D而有密合不佳的问题，容易导致内部的气体流出，且穿孔亦容易使气体无法于通道管D内流动；因此，如何有效藉由创新的硬体设计，以避免排气管路中的废气凝结成粉尘而沉积于排气管内部而减损气管的流通性，仍是半导体的气体管路结构等相关产业开发业者与相关研究人员需持续努力克服与解决的课题。

发明内容

本发明主要目的为提供一种气体管路结构及其排气处理方法，尤其是指一种提供加热后的特殊气体与化学气相沉积装置所产生的废弃混合的气体管路结构与排气处理方法，主要藉由在气管内加装气体流道与复数个气孔的硬体设计，有效使经过加热后的氮气与化学气相沉积装置的制程后所产生的废气于气管内混合，以避免排气管路中的废气凝结成粉尘而沉积于排气管内部而减损气管的流通性，确实达到提升废气的流速以输出至废气处理器并提升气管的流通性的主要优势。

为了达到上述的实施目的，本发明人提出一种气体管路结构，至少包括有一气管、一输气孔，以及一环体；气管内部开设有一容置空间；输气孔设置于气管的外管壁上且与容置空间相互贯通；环体设置于容置空间，环体相对于气管径向方向环设有一气体流道，而环体上环设有复数个与气体流道相互连接的气孔，其中气体流道与输气孔相互贯通。

如上所述的气体管路结构，其中气管的二端部分别设置有一气体入口，以及一气体出口。

如上所述的气体管路结构，其中一具有一第一流速的第一气体经由气体入口与气体出口进出气管。

如上所述的气体管路结构，其中第一气体为废气。

如上所述的气体管路结构，其中一具有一第二流速的第二气体由输气孔而经由气体流道与气孔进入气管。

如上所述的气体管路结构，其中第二气体为经过一加热管加热的特殊气体。

如上所述的气体管路结构，其中第二气体为氮气。

如上所述的气体管路结构，其中第二流速大于第一流速。