[发明专利]复合硅或复合锡颗粒

权利要求书

1.一种制备用于存储锂的复合物的方法，所述方法包括以下步骤：

从合金消减地移除MM’Z复合颗粒，其中M含量在所述合金中不占优势，并且从所述合金的熔融温度的冷却速率足以允许形成具有延伸M相网络和大体区分相的结构，所述MM’Z复合物颗粒包括保留于所述结构内的所述M’的一部分，所述复合物颗粒还包括所述MM’Z复合颗粒的表面上的无定形组分Z，

其中所述MM’Z复合颗粒的结构具有以阵列布置的杆，以使得所述杆在结晶学上结合并且以提供所述微晶延伸部之间的分离空间的方式延伸入空间中，从而在存储锂时适应于体积膨胀。

2.根据权利要求1所述的制备用于存储锂的复合物的方法，其特征在于：其中所述MM’Z复合颗粒具有(1)由于开放结构的至少10m2/g的表面积，(2)大于20m2/g的总表面积，(3)大于50％的具有杆的所述复合颗粒，其中每个杆具有至少10倍于直径的长度，和(4)大于30％的所述杆，所述杆在相同晶体学平面中取向。

3.根据权利要求1所述的制备用于存储锂的复合物的方法，其特征在于：其中所述MM’Z复合颗粒为至少80-95重量％的M。

4.根据权利要求1所述的制备用于存储锂的复合物的方法，其特征在于：其中所述MM’Z复合颗粒利用弱酸在pH受控环境中从合金消减地移除。

5.根据权利要求4所述的制备用于存储锂的复合物的方法，其特征在于：其中所述弱酸选择性地对所述MM’Z复合颗粒的表面纹理化以在所述MM’Z复合颗粒的表面上产生所述MZ或M’Z或两者。

6.根据权利要求1所述的制备用于存储锂的复合物的方法，其特征在于：所述方法还包括：

粘结剂，所述粘结剂嵌入所述MM’Z复合颗粒的微晶延伸部之间的分离空间中。

7.根据权利要求1所述的制备用于存储锂的复合物的方法，其特征在于：其中所述MM’Z复合颗粒在不同惰性或还原或氧化气氛下在>100℃的高温下加热以增大所述MM’Z复合颗粒的电化学性能。

8.根据权利要求1所述的制备用于存储锂的复合物的方法，其特征在于：其中所述MM’Z复合颗粒与碳材料混合。