[发明专利]低功耗功率放大电路及无线发射机

权利要求书

1.一种低功耗功率放大电路，其特征在于，包括：所述低功耗电路包括：第一谐振电路、D类功率放大器、第二电容（C2）和第二电感（L2）；其中，

所述第一谐振电路与所述D类功率放大器的输入端并联连接，所述输入端连接上游的无源混频器的输出端；其中，所述第一谐振电路包括：第一电容（C1）、第一电感（L1）；所述第一电容（C1）的一端和所述第一电感（L1）的一端、所述D类功率放大器的输入端连接，所述第一电容（C1）的另一端与所述第一电感（L1）的另一端、地连接；

所述D类功率放大器还包括：输出端；所述D类功率放大器的输出端与所述第二电容（C2）的一端连接，所述第二电容（C2）的另一端与所述第二电感（L2）的一端连接，

第一谐振电路的谐振频率等于所述D类功率放大器的工作频率，

所述D类功率放大器包括依次连接的至少一个驱动级和输出级，

所述输出级包括：第四电容（C4）、第一电阻（R1）、第一POMS晶体管（P1）和第一NOMS晶体管（N1）；其中，

所述第四电容（C4）的一端与所述输出级的输入信号连接，第四电容（C4）的另一端与所述第一电阻（R1）的一端、所述第一PMOS晶体管（P1）的栅极、所述第一NMOS晶体管（N1）的栅极连接，所述第一电阻（R1）的另一端与所述第一PMOS晶体管（P1）的漏极、所述第一NMOS晶体管（N1）的漏极连接，所述第一PMOS晶体管（P1）的源极与电源连接，所述第一NMOS晶体管（N1）的源极与地信号连接，

所述至少一个驱动级包括：至少一个第一驱动级和至少一个第二驱动级，

所述第一驱动级包括：第二POMS晶体管（P2）和第二NMOS晶体管（N2）；所述第二PMOS晶体管（P2）的栅极与所述第二NMOS晶体管（N2）的栅极、与所述第一驱动级的输入端连接，所述第二PMOS晶体管（P2）的源极与电源连接，所述第二PMOS晶体管（P2）的漏极与第二NMOS晶体管（N2）的漏极、所述第一驱动级的输出端连接，所述第二NMOS晶体管（N2）的源极与地连接，

所述第二驱动级包括：第五电容（C5）、第二电阻（R2）、第六电容（C6）、第三电阻（R3）、第三POMS晶体管（P3）、第三NMOS晶体管（N3）；其中，所述第五电容（C5）的一端与所述第六电容（C6）的一端、所述第二驱动级的输入端连接，所述第五电容（C5）的另一端与所述第二电阻（R2）的一端、所述第三POMS晶体管（P3）的栅极连接，所述第三POMS晶体管（P3）的源极与电源连接，所述第三POMS晶体管（P3）的漏极与所述第三NMOS晶体管（N3）的漏极、所述第二驱动级的输出端连接，所述第二电阻（R2）的一端与偏执信号Vbp连接；所述第六电容（C6）的另一端与所述第三电阻（R3）的一端、所述第三NOMS晶体管（N3）的栅极连接，所述第三NOMS晶体管（N3）的源极与地连接，所述第三电阻（R3）的一端与偏执信号Vbn连接。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括：第二谐振电路；

所述第二谐振电路与所述D类功率放大器的输出端串联连接；其中，所述第二谐振电路包括：第三电容（C3）、第三电感（L3）；所述第二电感（L2）的另一端与所述第三电容（C3）的一端、所述第三电感（L3）的一端连接，所述第三电容（C3）的另一端与所述第三电感（L3）的另一端连接。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括：调整电路；

所述调整电路，用于产生偏执信号Vbp或Vbn。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述偏执调整电路包括：第一电流源（I1）、第四POMS晶体管（P4）、第四NMOS晶体管（N4）和第二电流源（I2）；其中，

所述第一电流源（I1）的一端与电源信号连接，所述第一电流源（I1）的另一端与所述第四PMOS晶体管（P4）的源极连接，所述第四PMOS晶体管（P4）的栅极、所述第四NMOS晶体管（N4）的栅极、所述第四PMOS晶体管（P4）的漏极、所述第四NMOS晶体管（N4）的漏极、所述信号Vbp或Vbn连接，所述第四NMOS晶体管（N4）的源极与所述第二电流源（I2）的一端连接，所述第二电流源（I2）的另一端与地连接。

5.一种无线发射机，其特征在于，包括权利要求1-4任一项所述的低功耗功率放大电路、极坐标信号发生器、模数转换器、滤波器和混频器。