[发明专利]用于电子设备的电路布置

说明书

本发明涉及一种用于电子设备的电路布置(2)，该电路布置具有至少两个彼此并联连接的、同类的半导体元件(10、14、16、20)，其中，至少一个第一半导体元件(10、14、16、20)具有第一特性，至少一个第二半导体元件(10、14、16、20)具有第二特性，其中，两个特性中的任意一个由至少一个损耗功率限定，其中，至少一个第一半导体元件(10、14、16、20)的至少一个损耗功率具有第一值，其中，至少一个第二半导体元件(10、14、16、20)的至少一个损耗功率具有第二值，其中，至少一个损耗功率的两个值不同。

技术领域

本发明涉及一种用于电子设备的电路布置。

背景技术

电子的功率模块例如可以被设计为B6-桥或单个的半桥。该功率模块在此原则上包括多个物理上并联的半导体元件、例如IGBT或MOSFET，利用这些半导体元件提供分别需要的电流。在此这些半导体元件体由相同的类型形成以及例如形成为带有前置的硅-二极管的硅-IGBT。另选地，碳化硅-二极管可以与硅-IGBT并联。然而，该并联连接的半导体元件总是来自同一制造厂并且是相同的类型。在该功率模块中还尝试，通过所有并联连接的半导体元件尽可能对称地分配电流。该功率模块原则上在导通损耗/正向损耗和开关损耗方面进行折衷的情况下被优化。由此可以使用权衡特征曲线中的仅一个点，其中，功率模块的特性基于仅一种类型的半导体元件的设计的折衷。

发明内容

在这个背景下，本发明的目的是，对功率模块的特性进行调整。

上述目的通过具有独立权利要求1的特征的电路布置实现。由从属权利要求和说明书中得到电路布置的实施形式。

根据本发明的电子电路布置、例如功率模块被设计用于电子设备，并具有至少两个彼此并联连接的或布置的、同类的半导体元件或者说半导体组件，其中，至少一个第一半导体元件具有第一特性，至少一个第二半导体元件具有第二特性，其中，两个特性中的任意一个由至少一个损耗功率限定。至少一个第一半导体元件的至少一个损耗功率具有第一值，而至少一个第二半导体元件的至少一个损耗功率具有第二值，其中，至少一个损耗功率的两个值不同。

至少两个彼此并联连接的半导体元件被设计为同类的，这原则上意味着，所述至少两个半导体元件是相同类型的、例如半导体类型和/或包括相同的电路技术方面的机构或者说构造。但是还提出，所述至少两个同类的半导体元件即使在至少两个半导体元件存在相同的结构或者说构造时在至少一个特性方面、通常在损耗功率方面和进而在至少一个物理特性方面也彼此不同。两个同类的半导体元件通常要么是有源的半导体元件要么是无源的半导体元件。

在设计方案中，第一损耗功率被设计为或限定为导通损耗，第二损耗功率被设计为或限定为开关损耗。由此，至少两个彼此并联连接的、同类的半导体元件至少在其作为至少一个损耗功率的导通损耗和/或开关损耗方面并进而在运行参量方面不同，但是在其它情况下是同类的。

在此，至少一个第一半导体元件具有带有第一值的导通损耗，该第一值高于至少一个第二半导体元件的导通损耗的第二值，该第二半导体元件被设计为与第一半导体元件是同类的，其中，所述至少一个第一半导体元件具有带有第一值的开关损耗，该第一值低于至少一个第二半导体元件的开关损耗的第二值。

至少一个第二半导体元件相应地具有导通损耗，该导通损耗具有比至少一个第一半导体元件的导通损耗的第一值低的第二值，其中，被设计为与第一半导体元件是同类的至少一个第二半导体元件具有开关损耗，该开关损耗具有比至少一个第一半导体元件的开关损耗的第一值高的第二值。

此外还可能的是，两个同类的半导体元件直接并联/并排连接，这两个同类的半导体元件的对于至少一个特性和/或损耗功率的值彼此不同。

至少两个半导体元件例如被设计为具有集成门电极的双极型晶体管(IGBT)。

另选或补充地，至少两个半导体元件例如被设计为金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。