[发明专利]一种光纤激光器

权利要求书

1.一种光纤激光器，其特征在于，包括：可饱和吸收体装置、掺镱光纤、波分复用器、泵浦源、单模光纤、光纤隔离器、偏振控制器以及耦合器；

所述可饱和吸收体装置熔接在所述光纤激光器的激光腔体内，用于通过调节所述可饱和吸收体装置的弯曲曲率以提高所述光纤激光器输出的激光波长的可调谐精度；所述掺镱光纤、所述波分复用器、所述泵浦源、所述单模光纤、所述光纤隔离器、所述偏振控制器以及所述耦合器设于所述激光腔体的内部；所述可饱和吸收体装置具体包括：长周期光纤光栅、过渡金属硫化物薄膜以及涂覆层；所述长周期光纤光栅包括纤芯、包裹在所述纤芯的外表面的包层；所述包层设有开口的凹槽，且所述凹槽的底部与所述纤芯存在距离阈值；所述过渡金属硫化物薄膜设于凹槽内部；所述涂覆层包裹在所述包层的外表面，所述涂覆层用于将所述过渡金属硫化物薄膜封装到所述长周期光纤光栅内；所述凹槽具有多个；每个所述凹槽之间的距离为所述长周期光纤光栅的光栅周期；

所述波分复用器的一端分别与所述泵浦源以及所述单模光纤的一端相连接；所述波分复用器的另一端与所述可饱和吸收体装置的一端相连接；所述可饱和吸收体装置的另一端与所述耦合器的输入端相连接；所述耦合器的输出端与所述偏振控制器的一端相连接；所述偏振控制器的另一端与所述光纤隔离器的一端相连接；所述光纤隔离器的另一端与所述单模光纤的另一端相连接。

2.根据权利要求1所述的光纤激光器，其特征在于，所述过渡金属硫化物薄膜的材质为二碲化钨、二硫化钼、二碲化钼、二硒化钼或二硒化钨。

3.根据权利要求1所述的光纤激光器，其特征在于，所述凹槽利用高频二氧化碳激光器通过单侧边缘烧制技术对所述长周期光纤光栅加工而成。

4.根据权利要求3所述的光纤激光器，其特征在于，所述凹槽的宽度为45μm，所述凹槽的深度为55μm，所述光栅周期为310μm，所述光栅周期的总数为75，所述长周期光纤光栅的π相位变化在所述长周期光纤光栅的中心。

5.根据权利要求1所述的光纤激光器，其特征在于，所述长周期光纤光栅的中心波长为1030nm，所述长周期光纤光栅的光谱带宽为8nm，所述长周期光纤光栅的带通隔离度为15dB。

6.根据权利要求1所述的光纤激光器，其特征在于，所述激光腔体为环形腔体；

所述环形腔体的长度为78m。

7.根据权利要求1所述的光纤激光器，其特征在于，所述可饱和吸收体装置为所述光纤激光器的锁模元件；

所述锁模元件的锁模脉冲的重复频率为2.5MHz。

8.根据权利要求1所述的光纤激光器，其特征在于，所述泵浦源为泵浦激光二极管；

所述泵浦激光二极管的最高功率为530mW；

所述泵浦激光二极管的波长为976nm。