[发明专利]一种应用于光纤激光器上的可饱和吸收体装置

权利要求书

1.一种应用于光纤激光器上的可饱和吸收体装置，其特征在于，包括：长周期光纤光栅、过渡金属硫化物薄膜以及涂覆层；

所述长周期光纤光栅包括纤芯以及包裹在所述纤芯的外表面的包层；

所述包层设有开口的凹槽，且所述凹槽的底部与所述纤芯存在距离阈值；

所述过渡金属硫化物薄膜设于凹槽内部；

所述涂覆层包裹在所述包层的外表面，所述涂覆层用于将所述过渡金属硫化物薄膜封装到所述长周期光纤光栅内；利用光纤涂覆机，对填充了WTe₂薄膜的相移长周期光纤光栅进行涂覆，来完成对于可饱和吸收体的封装，经过封装以后的可饱和吸收体，WTe₂薄膜封装在光纤中，与空气隔离，实现了WTe₂薄膜的全光纤封装，制备成功了具有滤波特性的基于WTe2薄膜可饱和吸收体。

2.根据权利要求1所述的可饱和吸收体装置，其特征在于，所述凹槽利用高频二氧化碳激光器通过单侧边缘烧制技术对所述长周期光纤光栅加工而成。

3.根据权利要求2所述的可饱和吸收体装置，其特征在于，所述凹槽具有多个；

每个所述凹槽之间的距离为所述长周期光纤光栅的光栅周期。

4.根据权利要求3所述的可饱和吸收体装置，其特征在于，所述凹槽的宽度为45μm，所述凹槽的深度为55μm，所述光栅周期为310μm，所述光栅周期的总数为75，所述长周期光纤光栅的π相位变化在所述长周期光纤光栅的中心。

5.根据权利要求1所述的可饱和吸收体装置，其特征在于，所述长周期光纤光栅的中心波长为1030nm，所述长周期光纤光栅的光谱带宽为8nm，所述长周期光纤光栅的带通隔离度为15dB。

6.根据权利要求1所述可饱和吸收体装置，其特征在于，所述过渡金属硫化物薄膜采用液相超声法制作而成。

7.根据权利要求1所述的可饱和吸收体装置，其特征在于，所述过渡金属硫化物薄膜为液体，以逐滴添加的方式填充所述凹槽。

8.一种可饱和吸收体装置的制备方法，其特征在于，所述方法应用于权利要求1-7任意一项所述可饱和吸收体装置，所述制备方法包括：

当所述过渡金属硫化物薄膜填充所述凹槽直至所述过渡金属硫化物薄膜与所述包层处于同一平面时，对所述凹槽内部的所述过渡金属硫化物薄膜进行烘干；利用光纤涂覆机，对填充了WTe₂薄膜的相移长周期光纤光栅进行涂覆，来完成对于可饱和吸收体的封装，经过封装以后的可饱和吸收体，WTe₂薄膜封装在光纤中，与空气隔离，实现了WTe₂薄膜的全光纤封装，制备成功了具有滤波特性的基于WTe2薄膜可饱和吸收体。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述对所述凹槽内部的所述过渡金属硫化物薄膜进行烘干之后，还包括：

利用光纤涂覆机对填充了所述过渡金属硫化物薄膜的长周期光纤光栅进行封装。