[发明专利]太赫兹波段乙炔黑渐变分形宽缝阵列天线在审
申请号: | 201810082625.5 | 申请日: | 2018-01-29 |
公开(公告)号: | CN108306101A | 公开(公告)日: | 2018-07-20 |
发明(设计)人: | 林斌 | 申请(专利权)人: | 厦门大学嘉庚学院 |
主分类号: | H01Q1/36 | 分类号: | H01Q1/36;H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q13/10;H01Q21/06 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊;丘鸿超 |
地址: | 363105 福建省漳州*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 分形 宽缝 乙炔黑 渐变 太赫兹波段 阵列辐射 阵列天线 接地板 内边界 外边界 小天线 贴覆 贴片 天线 矩形阵列结构 四边 常规天线 导电墨水 工作特性 接地结构 室外露天 天线阵列 基板背 宽频带 雪花状 基板 阶数 封装 平行 替换 同心 辐射 | ||
1.一种太赫兹波段乙炔黑渐变分形宽缝阵列天线,其特征在于,包括:基板、贴覆在基板背面的天线接地板和贴覆在基板正面的乙炔黑渐变分形宽缝阵列辐射贴片;所述天线接地板为全乙炔黑导电墨水接地结构;所述乙炔黑渐变分形宽缝阵列辐射贴片是由分形宽缝小天线按照矩形阵列结构排列组成的天线阵列;所述分形宽缝小天线的结构包括正方形外边界,以及,将与正方形外边界同心且平行的正方形内边界的四边分别替换为阶数相同的1阶或2阶或3阶科赫分形线的雪花状宽缝内边界。
2.根据权利要求1所述的太赫兹波段乙炔黑渐变分形宽缝阵列天线,其特征在于:所述分形宽缝小天线的尺寸为45μm±1μm×45μm±1μm。
3.根据权利要求1所述的太赫兹波段乙炔黑渐变分形宽缝阵列天线,其特征在于:所述正方形外边界的边长为45μm±1μm;所述雪花状宽缝内边界的尺寸为42.6μm±0.1μm×42.6μm±0.1μm。
4.根据权利要求1所述的太赫兹波段乙炔黑渐变分形宽缝阵列天线,其特征在于:所述乙炔黑渐变分形宽缝阵列辐射贴片的天线阵列包括5行,其中第1行和第5行分形宽缝小天线的雪花状宽缝内边界采用1阶科赫分形线,第2行和第4行分形宽缝小天线的雪花状宽缝内边界采用2阶科赫分形线,第3行分形宽缝小天线的雪花状宽缝内边界采用3阶科赫分形线。
5.根据权利要求1所述的太赫兹波段乙炔黑渐变分形宽缝阵列天线,其特征在于:所述乙炔黑渐变分形宽缝阵列辐射贴片由20个分形宽缝小天线按照5行4列矩形阵列结构排列组成。
6.根据权利要求1所述的太赫兹波段乙炔黑渐变分形宽缝阵列天线,其特征在于:所述乙炔黑渐变分形宽缝阵列辐射贴片至少包括5行4列共20个阵元区域,每个阵元区域的大小为50μm±1μm×50μm±1μm,每个阵元区域的中心设置一个分形宽缝小天线。
7.根据权利要求1所述的太赫兹波段乙炔黑渐变分形宽缝阵列天线,其特征在于:所述每个分形宽缝小天线的底边中心位置设有馈电点。
8.根据权利要求1-7其中任一所述的太赫兹波段乙炔黑渐变分形宽缝阵列天线,其特征在于:所述基板为低损耗太赫兹波段透波陶瓷基板,相对介电常数为20±3。
9.根据权利要求1-7其中任一所述的太赫兹波段乙炔黑渐变分形宽缝阵列天线,其特征在于:所述基板的形状为矩形,尺寸为200μm±1μm×250μm±1μm,厚度为10μm±1μm。
10.根据权利要求1-7其中任一所述的太赫兹波段乙炔黑渐变分形宽缝阵列天线,其特征在于:所述天线接地板和乙炔黑渐变分形宽缝阵列辐射贴片由乙炔黑导电墨水印制而成。
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