[发明专利]一种去除电弧光影响的熔池温度场检测方法在审
申请号: | 201810081210.6 | 申请日: | 2018-01-29 |
公开(公告)号: | CN108398190A | 公开(公告)日: | 2018-08-14 |
发明(设计)人: | 柏连发;陆骏;余荣伟;赵壮;韩静;张毅 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | G01J5/00 | 分类号: | G01J5/00 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 陈鹏 |
地址: | 210094 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 熔池 温度场检测 电弧光 去除 温度场分布 比色测温 焊接加工 计算公式 重要意义 全视场 温度场 推导 分析 | ||
1.一种去除电弧光影响的熔池温度场检测方法,其特征在于,采用全视场熔池温度场检测系统,该系统包括分光镜、两片滤光片、两个CCD相机和计算机;分光镜用于将入射光线分成两路相同的输出,滤光片用于选择特定波段的光通过,CCD相机用于熔池在选择的特定波段下成像,计算机用于对CCD相机输出的图像进行处理,计算得到熔池的温度场;检测方法包括以下步骤:
步骤1,基于比色测温法计算熔池的温度场;
步骤2,分析电弧光对熔池温度场检测的影响;
步骤3,计算得到去除电弧光影响后的熔池温度场。
2.根据权利要求1所述的去除电弧光影响的熔池温度场检测方法,其特征在于,比色测温公式为:
其中C2为第二辐射常数,C2=1.4388×10-2m·K,L(λ1,T)和L(λ2,T)为熔池在波长λ1、λ2下的辐射亮度,ξ(λ1,T)和ξ(λ2,T)为熔池在波长λ1、λ2下的光谱发射率。设M(λ,T)为熔池的光谱辐出度,有:
M(λ,T)=π·L(λ,T) (2)
则式(1)可变为:
将两台CCD相机的曝光时间设置成相同,CCD相机在波长λ1、λ2下采集到的图像灰度值N(λ1,T)和N(λ2,T)的比值为:
其中η(λ)为CCD相机的光谱响应率,τ(λ)为透镜的光谱透过率,γ(λ)为滤光片的光谱透过率,δλ1、δλ2分别为两片滤光片的带宽;由式(1)和式(4)可得:
令:
式(5)就变为:
3.根据权利要求2所述的去除电弧光影响的熔池温度场检测方法,其特征在于,步骤2计算电弧光对熔池温度场检测的影响,具体为:
不考虑大气吸收等因素的影响,根据辐射的基本定律,熔池温度场检测系统接收到的辐射能量由熔池自身的辐射能量ξM0和熔池上方的电弧光辐射能量ρMr两部分构成,熔池温度场检测系统接收到的辐射能量表示为:
M=ξM0+ρMr (8)
式中,M0为熔池的光谱发射率ξ=1时的辐射能量;Mr为电弧光辐射投向熔池的辐射能量;ξ、ρ分别为测温系统响应波段内熔池的发射率、反射率。
对于不透明的熔池,就会有ξ+ρ=1,式(8)就变为:
M=ξM0+(1-ξ)Mr (9)
其中:
式中,T0为熔池本身的温度,设比色测温中双波长λ1、λ2对应的光谱发射率分别为ξ1、ξ2,设熔池为灰体,有:
ξ=ξ1=ξ2 (11)
根据式(9)和式(11),基于比色测温法,测量熔池温度场时有:
式中,M10是温度为T0的熔池区域在波长λ1处的辐出度,M20是温度为T0的熔池区域在波长λ2处的辐出度,M1r是温度为Tr的电弧光在波长λ1处的辐出度,M2r是温度为Tr的电弧光在波长λ2处的辐出度。
如果不考虑电弧光辐射的影响,式(12)就变为:
定义电弧光辐射对熔池温度场测量的影响为:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京理工大学,未经南京理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810081210.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。