[发明专利]基于高电压低电流电能的蓄电放电装置有效

专利信息
申请号: 201810079402.3 申请日: 2018-01-26
公开(公告)号: CN108110860B 公开(公告)日: 2023-10-20
发明(设计)人: 翟渊;邓乙平;吴晨光;吴英;张小云;向毅;柏俊杰 申请(专利权)人: 重庆科技学院
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00
代理公司: 重庆为信知识产权代理事务所(普通合伙) 50216 代理人: 龙玉洪
地址: 401331 重*** 国省代码: 重庆;50
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 基于 压低 电流 电能 放电 装置
【权利要求书】:

1.一种基于高电压低电流电能的蓄电放电装置,包括高电压低电流电能的采集模块、蓄电装置和负载接口电路,所述蓄电装置连接采集模块储存电能,所述蓄电装置连接负载接口电路为其供电,其特征在于:所述蓄电装置与负载接口电路之间还设置放电控制电路,所述放电控制电路包括:

开关元件,受电路电压变化控制负载接口电路的导通、断开;

压值触发放电模块,当蓄电装置存储电压高于设定压值时,所述压值触发放电模块产生电势差,该电势差控制开关元件导通,令蓄电装置为负载接口电路供电;

所述压值触发放电模块的触发输入端连接蓄电装置的电压输出端VCC,所述压值触发放电模块的触发输出端连接开关元件的控制端,所述开关元件的导通输入端连接蓄电装置的电压输出端,所述开关元件的导通输出端连接负载接口电路的输入端。

2.根据权利要求1所述的基于高电压低电流电能的蓄电放电装置,其特征在于:所述放电控制电路还包括低压持续放电模块:当蓄电装置放电到电压值低于设定压值后,低压持续放电模块持续转换电势差控制所述开关元件导通,令蓄电装置持续输出;

所述低压持续放电模块的触发输入端连接开关元件的导通输出端,所述低压持续放电模块的触发输出端连接开关元件的控制端。

3.根据权利要求1所述的基于高电压低电流电能的蓄电放电装置,其特征在于:所述开关元件为P型MOS管Q1,所述P型MOS管Q1的栅极连接蓄电装置的电压输出端VCC,所述P型MOS管Q1的源极连接蓄电装置的电压输出端VCC,所述P型MOS管Q1的漏极连接负载接口电路的正压端。

4.根据权利要求1所述的基于高电压低电流电能的蓄电放电装置,其特征在于:所述压值触发放电模块设置有压敏电阻R1,所述压敏电阻R1的击穿电压值为所述压值触发放电模块的设定压值;

所述压敏电阻R1的一端连接蓄电装置的电压输出端VCC,另一端连接第二三极管Q2的基极,所述第二三极管Q2的集电极串接第三电阻R3后连接蓄电装置的电压输出端VCC,所述第二三极管Q2的集电极还连接有第二二极管D2的阴极,所述第二二极管D2的阳极连接开关元件的控制端,所述第二三极管Q2的发射极接地。

5.根据权利要求2所述的基于高电压低电流电能的蓄电放电装置,其特征在于:所述低压持续放电模块设置有电压比较器,所述电压比较器的正相输入端连接开关元件的导通输出端,所述电压比较器的反相输入端连接基准电压,所述电压比较器的输出端连接第三三极管Q3的基极,所述第三三极管Q3的集电极连接蓄电装置的电压输出端VCC,所述第三三极管Q3的集电极还连接有第三二极管D3的阴极,所述第三二极管D3的阳极连接开关元件的控制端,所述第三三极管Q3的发射极接地。

6.根据权利要求5所述的基于高电压低电流电能的蓄电放电装置,其特征在于:所述基准电压由基准电压芯片提供,所述基准电压芯片的输入脚连接开关元件的导通输出端,所述基准电压芯片的输出脚连接电压比较器的反相输入端,所述基准电压芯片的接地脚接地。

7.根据权利要求1所述的基于高电压低电流电能的蓄电放电装置,其特征在于:所述负载接口电路包括负载接口和工作信号灯模块,所述工作信号灯模块的正压端连接开关元件的导通输出端,所述工作信号灯模块的负压端接地。

8.根据权利要求7所述的基于高电压低电流电能的蓄电放电装置,其特征在于:所述工作信号灯模块设置有发光二极管D4,所述发光二极管D4的阳极串接第九电阻R9后连接开关元件的导通输出端,所述发光二极管D4的阴极接地。

9.根据权利要求1所述的基于高电压低电流电能的蓄电放电装置,其特征在于:所述采集模块与蓄电装置之间还设置有整流模块,所述整流模块为整流桥;

所述整流桥的整流输入端组连接采集模块的输出端组,所述整流桥的整流输出端组连接蓄电装置的正负极。

10.根据权利要求1-9任一项所述的基于高电压低电流电能的蓄电放电装置,其特征在于:所述蓄电装置为蓄电电容C1,所述蓄电电容C1的一端连接采集模块的输出端,另一端接地;

所述蓄电电容C1的容值为1μF-200μF。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆科技学院,未经重庆科技学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810079402.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top