[发明专利]一种测定高纯铝中硅元素的分析方法有效
申请号: | 201810066952.1 | 申请日: | 2018-01-23 |
公开(公告)号: | CN108362685B | 公开(公告)日: | 2020-10-20 |
发明(设计)人: | 刘喜山;张琮;李刚;叶晓英;杨春晟 | 申请(专利权)人: | 中国航发北京航空材料研究院 |
主分类号: | G01N21/73 | 分类号: | G01N21/73 |
代理公司: | 中国航空专利中心 11008 | 代理人: | 李建英 |
地址: | 100095 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 测定 高纯 铝中硅 元素 分析 方法 | ||
本发明属于高纯金属痕量元素分析技术,涉及一种测定高纯铝中硅的分析方法。本发明采用加入5mL~15mL氢氧化钠(100g/L),电热板控制在120V‑150V左右,加热约40min~70min,取下,冷却至室温,加入5mL~10mL盐酸,2mL~5mL硝酸,置于电热板上再次加热,溶解盐类。本发明以氢氧化钠、盐酸、硝酸、氢氟酸对试样进行溶解,以便获得澄清的试样溶液;通过进行干扰实验,确定了最佳分析谱线,提高了测量的准确度;方法测定范围宽,测量下线为0.001%,测量上限为0.02%;采用同步处理试样及配制校准溶液测量硅元素,分析误差最小,方法重复性好;回收率、精密度较好;通过标准样品的分析、方法复验等分析结果比对表明所制定的分析方法准确度好,方法稳定,完全符合痕量元素分析的要求。
技术领域
本发明属于高纯金属痕量元素分析技术,涉及一种测定高纯铝中硅的分析方法。
背景技术
高纯铝具有许多优良的性能,用途广泛,在电子工业及航空航天,原子能工业、汽车制造、交通运输等领域有着广泛的用途。随着对高纯铝性能的进一步认识和开发,高纯铝的应用前景越来越广阔。目前,国内外对高纯铝中硅的分析还没有检测标准方法,可查到的关于硅的方法多为钼蓝萃取光度法,正丁醇萃取光度法,火焰原子吸收法(适用于常量)等,虽然也有ICP-AES测定金属材料中硅的报道,但通常是在固定通道的基础上,改变入射狭缝,采用扩展法测定钢铁中硅及其他元素的含量;文章“ICP-OES法测定纯铝中铁、锰、硅、铜、镁、钛、锌元素含量”,硅工作曲线范围0.05%~1.00%,不适宜分析0.001%~0.02%的硅;同时方法采用稀盐酸、硝酸溶样方法,存在酸不溶铝的问题,方法不能采用;文章“ICP-AES法测定铝中铁、硅、铜、镓、镁、锌、锰和钛”,虽然采用50g/L氢氧化钠溶液溶解铝样品,硝酸(1+1)酸化,有可能存在酸碱中和酸度偏低硅不稳定的问题;方法中样品分析范围0.07%~0.9%,远远不能满足痕量元素硅的分析。
电感耦合等离子体原子发射光谱仪(ICP)分析具有准确、快速、多元素同时分析的特点,广泛应用在地质、冶金、机械制造、环境保护、生物医学、食品等领域,具有良好的检出限和分析精密度,基体干扰小,线性动态范围宽,分析工作者可以用基准物质配制成一系列的标准,以及试样处理简便(比湿法化学分析)等优点。硅元素测量的手段通常有比色法、ICP-AES法(电感耦合等离子体原子发射光谱法)、火焰原子吸收法等。针对不同合金牌号可以查到相应的分析方法,关于高纯铝中硅的分析,目前国内外均无准确分析该元素的方法,套用方法存在溶解试样不完全、分析线的选择不确定等导致分析周期较长等缺点。
发明内容
本发明的目的是:提出一种分析元素含量低、范围宽、能够精确进行硅分析的测定高纯铝中硅元素的分析方法。
本发明的技术方案是:
采用电感耦合等离子体发射光谱仪,仪器的工作条件及分析线如下:高频频率:40.68MHz;入射功率:0.95~1.5kW;反射功率:<10W;入射狭缝:20μm;出射狭缝:15μm;氩气流量:冷却气流量:13~20L/min;护套气流量:0.2~0.5L/min;积分方式:一点式,最大值;分析线:251.61nm,252.41nm,288.15nm;
(1)、在测定过程中所使用的试剂如下:
(1.1)、盐酸,ρ1.19g/mL;高纯或亚沸蒸馏试剂;
(1.2)、硝酸,ρ1.42g/mL;高纯或亚沸蒸馏试剂;
(1.3)、盐酸(1+1);
(1.4)、氢氧化钠溶液,100g/L;
(1.5)、氢氧化钠溶液,400g/L;
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