[发明专利]一种基于计算机的永磁电机电枢反应磁场预测方法有效

专利信息
申请号: 201810065181.4 申请日: 2018-01-23
公开(公告)号: CN108319768B 公开(公告)日: 2021-08-31
发明(设计)人: 周羽;李槐树 申请(专利权)人: 湖北西浦电机科技有限责任公司
主分类号: G06F30/17 分类号: G06F30/17;G06F111/10
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 钟锋
地址: 430012 湖北省武汉市江汉经*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 计算机 永磁 电机 电枢 反应 磁场 预测 方法
【权利要求书】:

1.一种基于计算机的永磁电机电枢反应磁场预测方法,其特征在于:所述永磁电机为偏心圆弧磁极和定子开槽的开口型凸极的永磁电机,它包括以下步骤:

步骤1、通过计算机获得设计中所述永磁电机以下参数的步骤:

δmin为极面的最小气隙厚度,

δmax为极面的最大气隙厚度,

Rs为定子内半径,

bm和hm为永磁体尺寸,

步骤2、获得定子无槽的直轴和交轴的复数气隙磁场的步骤;

步骤3、根据保角变换得到定子开槽的复数相对气隙磁导的步骤;

步骤4、对定子无槽复数气隙磁场与定子开槽的复数相对气隙磁导进行合成;

所述步骤2通过下式获得A、B、C相绕组直轴复数气隙磁场

τ为极距;

σ为漏磁系数;

μ0为空气的磁导率;

n为将空间一个极距平均分成的份数;

为直轴相对磁通密度;

fad(θ)为A相绕组合成磁势的直轴磁势在θ位置的值;

fbd(θ)为B相绕组合成磁势的直轴磁势在θ位置的值;

fcd(θ)为C相绕组合成磁势的直轴磁势在θ位置的值;

Fadm(θ)转子在任一确定θ时,A相绕组的直轴电枢磁势幅值;

Fbdm(θ)转子在任一确定θ时,B相绕组的直轴电枢磁势幅值;

Fcdm(θ)转子在任一确定θ时,C相绕组的直轴电枢磁势幅值。

2.如权利要求1所述的永磁电机电枢反应磁场预测方法,其特征在于:所述步骤2通过下式获得A、B、C相绕组交轴复数气隙磁场

为交轴相对磁通密度;

faq(θ)为A相绕组合成磁势的交轴磁势在θ位置的值;

fbq(θ)为B相绕组合成磁势的交轴磁势在θ位置的值;

fcq(θ)为C相绕组合成磁势的交轴磁势在θ位置的值。

3.如权利要求2所述的永磁电机电枢反应磁场预测方法,其特征在于:所述步骤3具体为:

式中λ为考虑开槽的复数相对气隙磁导;

c和e为W平面对应c点和e点的坐标;

λr为考虑开槽的复数相对气隙磁导的实部;

λθ为考虑开槽的复数相对气隙磁导的虚部。

4.如权利要求3所述的永磁电机电枢反应磁场预测方法,其特征在于:所述步骤4具体为:偏心圆弧磁极和定子开槽的开口型凸极永磁电机电枢反应磁场径向分量Bsr和切向分量B为:

Br和Bθ分别为定子无槽的电枢反应复数气隙磁场的实部和虚部。

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