[发明专利]用于制造用于超导线材的半成品的方法有效
| 申请号： | 201810061243.4 | 申请日： | 2018-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN108346492B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | V·阿贝阿赫尔利;K·施伦格;B·赛勒;M·托内;M·瓦尼尔 | 申请（专利权）人： | 布鲁克EAS有限公司 |
| 主分类号： | H01B12/00 | 分类号： | H01B12/00;H01B13/00 |
| 代理公司： | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李鸿达 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超导线材 半成品 被照射区域 制造 选择性激光熔化 电子束熔化 材料离析 过程参数 棒结构 第一区 扎钉 引入 | ||
1.用于制造用于超导线材的半成品(50；51)的方法，
其中，所述半成品(50；51)具有至少一个含有NbTi的结构(2)，
其特征在于，
逐层地通过对包含Nb和Ti的粉末(6)的选择性激光熔化或选择性电子束熔化制造所述含有NbTi的结构(2)，
并且在制造所述含有NbTi的结构(2)的至少一些层(5、5a、5b)时，在制造相应的层(5、5a、5b)的设置用于材料离析的被照射区域(20)期间，使选择性激光熔化或电子束熔化的一个或多个过程参数在所述被照射区域(20)的一个或多个第一区(23)中相对于所述被照射区域(20)的一个或多个第二区(24)变化。
2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含有NbTi的结构(2)是含有NbTi的棒结构。
3.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述一个或多个第二区(24)中进行选择性激光熔化或电子束熔化时，使Ti的含量相对于所述一个或多个第一区(23)降低。
4.按照权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，在所述一个或多个第二区(24)中进行选择性激光熔化或电子束熔化时，使熔池(26)的最高温度相对于所述一个或多个第一区(23)提高。
5.按照权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，在所述一个或多个第二区(24)中进行选择性激光熔化或电子束熔化时，使熔池(26)的局部的停留时间相对于所述一个或多个第一区(23)提高。
6.按照权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，在所述一个或多个第二区(24)中进行选择性激光熔化或电子束熔化时，使辐射功率相对于所述一个或多个第一区(23)提高。
7.按照权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，在所述一个或多个第二区(24)中进行选择性激光熔化或电子束熔化时，使激光束(13)或电子束(13a)的命中点(25)的推进速度(v2)相对于所述一个或多个第一区(23)中的命中点(25)的推进速度(v1)降低。
8.按照权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，在所述一个或多个第二区(24)中进行选择性激光熔化或电子束熔化时，使激光束(13)或电子束(13a)的调焦相对于所述一个或多个第一区(23)改变。
9.按照权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，在所述一个或多个第一区(23)中进行选择性激光熔化或电子束熔化时，使用第一激光源或电子枪，并且在所述一个或多个第二区(24)中进行选择性激光熔化或电子束熔化时，备选或附加于所述第一激光源或电子枪使用第二激光源或电子枪。
10.按照权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，使所述含有NbTi的结构(2)制造有沿纵向方向的长度L和垂直于纵向方向的最大直径D，其中，L≥3*D。
11.按照权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，使所述含有NbTi的结构(2)制造有沿纵向方向的长度L和垂直于纵向方向的最大直径D，其中，L≥4*D。
12.按照权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，使所述含有NbTi的结构(2)制造有沿纵向方向的长度L和垂直于纵向方向的最大直径D，其中，L≥5*D。
13.按照权利要求10所述的方法，其特征在于，使所述含有NbTi的结构(2)逐层地垂直于其纵向方向地制造。
14.按照权利要求10所述的方法，其特征在于，使所述含有NbTi的结构(2)逐层地沿其纵向方向地制造。
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