[发明专利]一种功放供电控制方法及装置

说明书

本发明公开了一种功放供电控制方法及装置，涉及通信领域，所述方法包括：功放上电时，将输入电压转换为用于为功放栅极供电的栅极电压；判断所述栅极电压是否满足触发所述功放漏级上电的电压要求；若判断所述栅极电压满足触发所述功放漏级上电的电压要求，则将所述输入电压转换为用于为所述漏级供电的漏级电压。本发明实施例在满足功放上下电时序的前提下，节省了缓启动电路、Vd线上MOS及Vg输出大容量储能电容，提高了电路可靠性，节省了单板面积及成本。

技术领域

本发明涉及通信领域，特别涉及一种功放供电控制方法及装置。

背景技术

目前，在射频领域常用的功率放大器主要是LDMOS(Lateral double-diffusedmetal-oxide semiconductor，横向扩散金属氧化物半导体场效应管)，此类功放管技术已相对成熟，效率和频段的提升相对较难，而GaN(氮化镓)这种新的材料则能够将效率和频段进一步提升。GaN为第三代半导体材料，具有宽带半导体特性、高饱和电子迁移率以及更高的击穿电压；同时GaN材料还具备很高的热传导特性，这使得GaN功放管能够承受更高的温度，具有更高的功率容量。但是GaN功放的Vg(栅极电压)及Vd(漏极电压)的上下电时序有严格的要求，具体见图1，上电时，Vd需等Vg下降到V1后才可上电；下电时，Vg在上升到V2时，Vd电压需下降至V3以下。

现有技术给出了一种实现GaN上下电时序方法，具体见图2。该技术通过Vg控制一颗缓启动芯片，由缓启动芯片来控制Vd线上的MOS(metal oxide semiconductor，金属氧化物半导体)开关，同时Vg需放置大容量储能电容以满足下电时序。该方案的弊端在于缓启动芯片、MOS以及大容量储能电容的占板面积大，成本高，且MOS在后级发生过流或者短路状态时容易失效，同时大容量储能电容寿命在功放高温环境下也是一大难题。

发明内容

本发明实施例提供的一种功放供电控制方法及装置，解决现有方案中功放的Vg及Vd的供电时序可靠性低，占板面积大，成本高的问题。

根据本发明实施例提供的一种功放供电控制方法，包括：

功放上电时，将输入电压转换为用于为功放栅极供电的栅极电压；

判断所述栅极电压是否满足触发所述功放漏级上电的电压要求；

若判断所述栅极电压满足触发所述功放漏级上电的电压要求，则将所述输入电压转换为用于为所述漏级供电的漏级电压。

优选地，所述将输入电压转换为用于为功放栅极供电的栅极电压包括：

若栅压欠压关断模块确定所述输入电压上升至栅压欠压保护点，则栅压转换模块将所述输入电压转换为所述栅极电压，并输出至所述功放的栅极。

优选地，所述判断所述栅极电压是否满足触发所述功放漏级上电的电压要求包括：

若使能单元确定所述栅极电压下降至为所述漏级供电的触发点，且漏压欠压关断单元确定所述输入电压上升至漏压欠压保护点，则判断满足触发所述功放漏级上电的要求。

优选地，所述方法还包括：

所述功放下电时，根据所述栅压欠压保护点和所述漏压欠压保护点，控制所述栅极掉电的起始时间滞后于所述漏级掉电的起始时间。

优选地，所述根据所述栅压欠压保护点和所述漏压欠压保护点，控制所述栅极掉电的起始时间滞后于所述漏级掉电的起始时间包括：

若所述漏压欠压关断单元确定所述输入电压下降至所述漏压欠压保护点，则漏压转换模块停止将所述输入电压转换为用于为所述漏极供电的所述漏级电压，使所述漏级掉电；

若所述栅极欠压关断模块确定所述输入电压下降至所述栅压欠压保护点，则所述栅压转换模块停止将所述输入电压转换为用于为所述栅极供电的所述栅极电压，使所述栅极掉电；