[发明专利]电流传感器以及电流感应方法在审
申请号: | 201810029356.6 | 申请日: | 2018-01-11 |
公开(公告)号: | CN108226624A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 金晖哲;宋垠锡 | 申请(专利权)人: | 江西联智集成电路有限公司 |
主分类号: | G01R19/25 | 分类号: | G01R19/25 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 朴英淑 |
地址: | 330096 江西*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 控制电压 电流传感器 输出 电压供给电路 电流感应 外部 电流供给电路 电压生成电路 输入偏置电流 增益控制电路 模数转换器 接收输入 输入电压 感应电 | ||
1.一种电流传感器,包括:
第1电压供给电路,从外部输入偏置电流,并且接收输入电压,输出第1电压;
第2电压供给电路,接收所述输入电压,输出第2电压;
电流供给电路,连接在外部的感应电组的两端,接收所述第1电压和所述第2电压,输出第1电流和第2电流;
电压生成电路,接收所述第1电流和所述第2电流,生成第1控制电压和第2控制电压;和
增益控制电路,接收所述第1控制电压和所述第2控制电压,输出用于外部的模数转换器的电压。
2.根据权利要求1所述的电流传感器,其中,
所述第1电压供给电路包括:至少一个第1晶体管,其第1端接收所述输入电压,栅极与第2端连在一起;和镜像电流源,输入所述偏置电流,向所述第1晶体管的栅极提供所述第1电压,
所述第2电压供给电路包括:二极管,负极与所述输入电压连接,正极输出所述第2电压,
所述电流供给电路包括分别连接在所述感应电组的两端的两个第1电阻以及第2~第5晶体管,其中,所述第2晶体管和第3晶体管的栅极连接在一起输入所述第1电压,所述第4晶体管和第5晶体管的栅极连接在一起输入所述第2电压,所述第2晶体管的第1端与一方第1电阻的一端连接,所述第2晶体管的第2端与所述第4晶体管的第1端连接,所述第3晶体管的第1端与另一方第1电阻的一端连接,所述第3晶体管的第2端与所述第5晶体管的第1端连接,
所述电压生成电路包括:与所述第4晶体管的第2端连接的一方第2电阻;与所述第5晶体管的第2端连接的另一方第2电阻;与所述一方第2电阻串联连接的第3电阻;和与所述另一方第2电阻串联连接的偏置电阻,
所述增益控制电路包括:放大器,非反相输入端连接在所述一方第2电阻与所述第3电阻之间,输入所述第1控制电压,反相输入端连接在所述另一方第2电阻与所述偏置电阻之间,输入所述第2控制电压,输出端与所述模数转换器连接。
3.根据权利要求2所述的电流传感器,其中,
所述镜像电流源由高压NMOS晶体管构成,所述第4晶体管和所述第5晶体管是高压PMOS晶体管。
4.根据权利要求3所述的电流传感器,其中,
所述增益控制电路还包括在所述放大器的前级设置的低通滤波器。
5.根据权利要求4所述的电流传感器,其中,
所述第1~第3晶体管是低压PMOS晶体管。
6.根据权利要求2~5中任一项所述的电流传感器,其中,
所述第2电压供给电路还包括:与所述二极管串联连接的第4电阻和第5电阻;和第6晶体管,是高压NMOS晶体管,其第1端与所述第5电阻的一端连接,栅极与所述镜像电流源连接,第2端接地。
7.根据权利要求6所述的电流传感器,其中,
所述第1电压供给电路还包括:第6电阻,连接在所述第1晶体管的第2端与所述镜像电流源之间。
8.一种电流感应方法,包括以下步骤:
第1电压供给电路从外部输入偏置电流,并且接收输入电压,输出第1电压;
第2电压供给电路接收所述输入电压,输出第2电压;
连接在外部的感应电组的两端的电流供给电路接收所述第1电压和所述第2电压,感应流过所述感应电组的电流,输出第1电流和第2电流;
电压生成电路接收所述第1电流和所述第2电流,生成第1控制电压和第2控制电压;和
增益控制电路接收所述第1控制电压和所述第2控制电压,输出用于外部的模数转换器的电压。
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