[发明专利]一种放射性去污高强度可剥离膜、其制备方法及应用有效
| 申请号： | 201810017220.3 | 申请日： | 2018-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN108034324B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 赵东;田青青;黄鹤翔;董文静;彭晓霞;周晓波;林桢辉;武俊红;黄磊;谢长红 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院材料研究所 |
| 主分类号： | C09D147/00 | 分类号： | C09D147/00;C09D5/16;C09D5/20;C09D7/61;C09D7/63;G21F9/12;G21F9/16;G21F9/30 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 沈强 |
| 地址： | 621700 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 放射性 去污 强度 剥离 制备 方法 应用 | ||
1.一种放射性去污高强度可剥离膜的制备方法，其特征在于，采用如下重量百分比的原料制备而成：
聚异戊二烯 50％-70％，硫磺 0.3％-3％，纳米白炭黑 0.25％-3％，促进剂ZDC0.3％-2％，防老剂D 0.5％-2％，氧化锌 0.1％-1％，酪素 0.05％-1.0％，EDTA 0.5％-2％，分散剂BX 0.02％-0.5％，水 20％-40％；
包括如下步骤：
(1)聚异戊二烯基料的硫化改性
按配比称取各组分，备用；取称取的聚异戊二烯，在搅拌下向其中加入酪素，再升温至30-70℃，再向其中加入称取的硫磺、纳米白炭黑、氧化锌、促进剂ZDC、防老剂D、分散剂BX，然后升温至40-90℃，恒温硫化30-70min，得到改性成膜基料；
(2)去污剂合成
取步骤(1)制备的改性成膜基料，在搅拌下向其中分别加入EDTA溶液后，搅拌10-30min，再放置2－4小时后即可。
2.根据权利要求1所述放射性去污高强度可剥离膜的制备方法，其特征在于，所述硫磺的含量为1.0-2.0wt％。
3.根据权利要求1所述放射性去污高强度可剥离膜的制备方法，其特征在于，所述纳米白炭黑的含量为1.0％-2.0％。
4.根据权利要求1所述放射性去污高强度可剥离膜的制备方法，其特征在于，所述EDTA的含量为1.0％-2.0％。
5.根据权利要求1-4任一项所述放射性去污高强度可剥离膜的制备方法，其特征在于，所述放射性去污高强度可剥离膜还包括原料质量0.3～8.0％的丙三醇。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，取步骤(1)制备的改性成膜基料，在搅拌下向其中分别加入EDTA溶液、丙三醇后，搅拌10-30min，再放置2－4小时后即可。
7.根据权利要求1-6任一项所述方法所制备的放射性去污高强度可剥离膜在去除放射性废物中的应用。
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