[发明专利]适用于声场主动重塑的二进制空间声学调制器有效

专利信息
申请号: 201780096392.8 申请日: 2017-12-20
公开(公告)号: CN111279718B 公开(公告)日: 2022-01-18
发明(设计)人: 马冠聪;沈平;范喜迎;马蒂亚斯·亚历山大·芬克 申请(专利权)人: 香港科技大学
主分类号: H04R9/06 分类号: H04R9/06;H04R7/16
代理公司: 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 代理人: 石伟
地址: 中国香港*** 国省代码: 香港;81
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摘要:
搜索关键词: 适用于 声场 主动 重塑 二进制 空间 声学 调制器
【权利要求书】:

1.空间声学调制器单元,包括:

第一边界在框架上的薄膜;

放置在薄膜上且置于薄膜中心的磁片;

置于薄膜上方且放置在磁片和框架之间的环;

置于磁片上方且正对磁片放置的电磁铁;

置于薄膜上方的平台,和

用于固定电磁铁和平台的支架;

其中,根据磁片和电磁铁之间的磁力,可将薄膜配置为与平台接触。

2.根据权利要求1所述的空间声学调制器单元,其中平台为环形,平台直径小于环直径。

3.根据权利要求1所述的空间声学调制器单元,其中框架具有环形形状。

4.根据权利要求1所述的空间声学调制器单元,其中当磁力为斥力时,薄膜有一个固定边界,当磁力为引力时,薄膜有两个固定边界。

5.根据权利要求1所述的空间声学调制器单元,其是在相同环境中通过改变可听频域声场的位相因子的分布而改变可听频域声场的空间分布的可重塑元件。

6.根据权利要求1所述的空间声学调制器单元,其横向尺寸不大于空气中声波波长的0.5倍。

7.根据权利要求1所述的空间声学调制器单元,设薄膜与平台保持一定的距离时为第一状态,与平台相贴触时为第二状态,所述空间声学调制器单元至少能够在所述第一状态和所述第二状态之间进行重塑。

8.根据权利要求7所述的空间声学调制器单元,其中,在所述第二状态下穿过所述空间声学调制器单元的声波均具有一个与在所述第一状态下穿过所述空间声学调制器单元的声波不同的位相因子,无论该声波是透射波还是反射波。

9.空间声学调制器,包括:

根据权利要求1所述的空间声学调制器单元阵列;

连接到每一个空间声学调制器单元的独立继电器;和

一个用于控制继电器的微控制器。

10.根据权利要求9所述的空间声学调制器,其能够工作于透射模式、反射模式、或既工作于透射模式也工作于反射模式,其中透射模式指的是穿过所述空间声学调制器的声波被赋予特定的位相因子,反射模式指的是被所述空间声学调制器反射的声波被赋予特定的位相因子。

11.空间声学调制器,包括:

由多个单元结构构成的二维阵列;

一个用于探测声信号和提供反馈的传感器;和

根据反馈信号调控每一个由多个单元结构组成的多元组合的位相的微型调控器,

其中所述的由多个单元结构组成的组合包含:

一个框架;

根据权利要求1所述的空间声学调制器单元,其包括:

一个第一边界在框架上的薄膜;

一个放置在薄膜上且置于薄膜中心的磁片;

一个置于薄膜上方且放置在磁片与框架之间的环;

一个置于磁片上方且正对磁片放置的电磁铁;

一个置于薄膜上方的平台;和

一个用于固定电磁铁和平台的支架;

其中,根据磁片和电磁铁之间的磁力,可将薄膜配置为与平台接触;以及其中,所述薄膜的第二边界与所述平台相对应,根据磁片的运动,所述薄膜的第二边界或与平台保持一定的距离或固定在平台上。

12.根据权利要求11所述的空间声学调制器,其能够工作于透射模式、反射模式、或既工作于透射模式也工作于反射模式,其中透射模式指的是穿过所述空间声学调制器的声波被赋予特定的位相因子,反射模式指的是被所述空间声学调制器反射的声波被赋予特定的位相因子。

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