[发明专利]用于隧道结的阴影掩模面积校正

权利要求书

1.一种用于校正由连续阴影掩模蒸发所产生的两个膜之间的重叠的面积的方法，该方法包括：

使用软件工具和/或光刻工具校正原始布局中的设计特征以生成校正后的布局，使得所述校正后的布局修改所述设计特征的形状；以及

使用所述光刻工具根据所述校正后的布局在晶片上的位置处图案化所述设计特征的修改后的形状；以及

通过初始阴影掩模蒸发来沉积第一膜并且通过后续阴影掩模蒸发来沉积第二膜，以在所述晶片上的所述位置处产生校正后的结，使得所述第一膜和所述第二膜具有重叠。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一膜与所述第二膜之间的所述重叠限定隧道结。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一膜与所述第二膜之间的所述重叠限定约瑟夫逊结。

4.根据权利要求1的方法，其中，所述初始阴影掩模蒸发和所述后续阴影掩模蒸发利用悬式抗蚀剂桥。

5.根据权利要求1的方法，其中，所述初始阴影掩模蒸发和所述后续阴影掩模蒸发利用没有悬式抗蚀剂桥的交叉。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述原始布局的校正考虑到由在所述后续阴影掩模蒸发之前的先前沉积引起的所述设计特征的变窄。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，氧化物层位于所述第一膜与所述第二膜之间。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述校正后的布局包括位置倾斜校正。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述位置倾斜校正被配置为相对于蒸发源的位置和所述设计特征的个体位置修改所述设计特征的形状。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述校正后的布局包括侧壁沉积物校正。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述侧壁沉积物校正被配置为相对于来自先前阴影掩模蒸发的先前侧壁沉积物来修改所述设计特征的形状。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述校正后的布局包括侧壁飞边校正。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述侧壁飞边校正被配置为修改所述设计特征的形状以防止所述第一膜、所述第二膜、或者所述第一膜及所述第二膜两者的宽度因倚靠抗蚀剂材料侧壁的飞边而减小。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述校正后的布局中的校正包括选自位置倾斜校正、侧壁沉积物校正和侧壁飞边校正中的至少两种类型的校正。

15.一种形成结的方法，所述方法包括：

校正原始布局中的设计特征以生成校正后的布局；

在晶片上的位置处图案化所述校正后的布局的所述设计特征；以及

根据所述校正后的布局，使用阴影掩模蒸发来沉积第一膜和第二膜，所述校正后的布局被校正用于通过所述阴影掩模蒸发进行的沉积。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第一膜与所述第二膜之间的重叠限定隧道结。

17.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第一膜与所述第二膜之间的重叠限定约瑟夫逊结。

18.根据权利要求15所述的方法，其中，校正所述原始布局中的所述设计特征以生成所述校正后的布局包括相对于蒸发源加宽所述设计特征的形状。

19.根据权利要求15所述的方法，其中，氧化物层位于所述第一膜与所述第二膜之间。