[发明专利]氧化物超导薄膜材料、氧化物超导薄膜线材和氧化物超导薄膜的制造方法有效
申请号: | 201780087730.1 | 申请日: | 2017-10-31 |
公开(公告)号: | CN110383398B | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 元木贵则;下山淳一;本田元气;永石龙起 | 申请(专利权)人: | 住友电气工业株式会社 |
主分类号: | H01B12/06 | 分类号: | H01B12/06;C01G3/00;H01B13/00;C01G1/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 王海川;牛嵩林 |
地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化物 超导 薄膜 材料 线材 制造 方法 | ||
1.一种氧化物超导薄膜材料,其包含:
金属衬底,所述金属衬底在表面具有双轴取向的晶体取向结构;
中间层,所述中间层形成在所述金属衬底上并且是双轴取向的;和
氧化物超导薄膜,所述氧化物超导薄膜形成在所述中间层上并且由以REBa2Cu3Oy表示的RE123类氧化物超导体构成,其中RE表示稀土元素,Ba表示钡,Cu表示铜并且O表示氧,其中
所述氧化物超导薄膜包含Br(溴),
其中,所述氧化物超导薄膜具有形成在所述中间层的表面上或所述氧化物超导薄膜中的析出物,
所述析出物包含Br,并且
所述析出物包含Ba2Cu3O4Br2晶体。
2.根据权利要求1所述的氧化物超导薄膜材料,其中形成在所述中间层的表面上的Ba2Cu3O4Br2晶体具有上表面和侧表面,所述上表面和侧表面构成辅助所述氧化物超导薄膜的双轴取向生长的三维模板。
3.根据权利要求1或2所述的氧化物超导薄膜材料,其还包含形成在所述氧化物超导薄膜中的BaMO3纳米粒子,其中M表示杂质金属,其中
M为Hf(铪)、Zr(锆)、Sn(锡)、Nb(铌)、Ir(铱)、Ti(钛)、Ce(铈)和Bi(铋)中的一种。
4.一种氧化物超导线材,其包含:
根据权利要求1至3中任一项所述的氧化物超导薄膜材料;和
至少覆盖所述氧化物超导薄膜的覆盖层。
5.一种氧化物超导薄膜的制造方法,所述氧化物超导薄膜由以REBa2Cu3Oy表示的RE123类氧化物超导体构成,其中RE表示稀土元素,Ba表示钡,Cu表示铜,并且O表示氧,所述方法包含:
准备在表面具有双轴取向的晶体取向结构的金属衬底的步骤;
在所述金属衬底上形成双轴取向的中间层的步骤;
准备添加有Br(溴)的、用于形成所述RE123类氧化物超导体的原料溶液的步骤;
将所述原料溶液涂布到所述中间层上的步骤;以及
通过对其上涂布有所述原料溶液的所述金属衬底进行烧结而在所述中间层上形成所述氧化物超导薄膜的步骤,
其中,所述原料溶液为不包含氟的有机金属化合物溶液,并且
在所述原料溶液中,所述稀土元素RE、Ba、Cu和Br的比率为RE:Ba:Cu:Br=1:2+x:3+1.5x:x,其中0.05≤x≤0.20。
6.根据权利要求5所述的氧化物超导薄膜的制造方法,其中
在准备所述原料溶液的步骤中,向所述原料溶液中进一步添加杂质金属,并且
所述杂质金属为Hf(铪)、Zr(锆)、Sn(锡)、Nb(铌)、Ir(铱)、Ti(钛)、Ce(铈)和Bi(铋)中的一种。
7.根据权利要求6所述的氧化物超导薄膜的制造方法,其中
所述形成所述氧化物超导薄膜的步骤包含:
进行煅烧以通过将所述原料溶液进行热分解而从所述原料溶液中去除溶剂成分的步骤;以及
通过对已经经过所述煅烧的所述金属衬底进行烧结而形成所述氧化物超导薄膜的步骤,其中
通过交替重复地实施涂布所述原料溶液的步骤和进行所述煅烧的步骤而在所述中间层上形成具有多个层的煅烧膜,并且
将所述杂质金属添加到所述煅烧膜的多个层中的第二层及后续的层的各层中。
8.根据权利要求7所述的氧化物超导薄膜的制造方法,其中进一步向所述煅烧膜的多个层中的第一层中添加所述杂质金属。
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