[发明专利]多层电极和膜能量存储装置

说明书

本公开内容提供了多层电极，其包括导电层和至少一个保护层，所述至少一个保护层位于导电层的一侧上并且选自包括场平坦化层、隧穿注入阻挡层和库仑阻挡层的列表。

优先权要求

本申请要求于2017年12月2日提交的美国专利申请第15/368,171号的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明一般地涉及电路的无源组件，并且更具体地涉及多层电极和使用其的膜能量存储装置。

背景技术

科学和技术文献中广泛讨论了用于电子器件的电极的电极(接触)问题和制造方法。

纳米级MOSFET的开发使寄生源极/漏极和接触电阻作为性能限制因素的作用(参见Reinaldo Vega和Tsu-Jae King Liu,“Advanced Source/Drain and Contact Designfor Nanoscale CMOS”,加州大学伯克利分校电气工程与计算机科学,技术报告第UCB/EECS-2010-84号,http://www.eecs.berkeley.edu/Pubs/TechRpts/2010/EECS-2010-84.html,2010年5月20日)受到越来越多的关注。近年来，掺杂剂分离的肖特基(Dopant-segregated Schottky，DSS)源极/漏极MOSFET已经变得流行以解决该串联电阻问题，因为DSS源极/漏极区域主要包含金属或金属硅化物。从金属接触区域延伸的小的源极/漏极延伸(SDE)区域是DSS MOSFET中的重要设计参数，因为它们的尺寸和浓度影响接触电阻、串联电阻、带间隧穿(BTBT)、SDE隧穿和直接源极至漏极隧穿注入(direct source-to-draintunneling，DSDT)泄漏。Reinaldo Vega和Tsu-Jae King Liu的工作基于建模和实验视角二者研究了围绕DSS MOSFET的关键设计问题，包括SDE设计对双极性泄漏的影响、随机掺杂剂波动(RDF)对特定接触电阻率的影响、3D FinFET源极/漏极和接触设计优化、以及实现SDE区域调谐的实验方法。

C.Liu,V.Kamaev和Z.V.Vardeny在“Efficiency enhancement of an organiclight-emitting diode with a cathode forming two-dimensional periodic holearray”,APPLIED PHYSICS LETTERS,第86卷,第143501页,(2005)中描述了使用夹在两个半透明电极(光学薄金膜阳极，而阴极是具有图案化的周期性亚波长二维孔阵列的光学厚铝(Al)膜的形式，所述阵列在聚合物光致发光带的光谱范围内显示出不规则透射)之间的π-共轭聚合物发射层制造有机发光二极管。在相似的电流密度下，与基于未穿孔的Al电极的控制装置相比，我们用图案化的Al装置获得了七倍的电致发光效率提高。