[发明专利]层合体有效
申请号: | 201780072437.8 | 申请日: | 2017-11-29 |
公开(公告)号: | CN110023383B | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 李美宿;具世真;朴鲁振;金廷根;李济权;柳亨周;崔银英 | 申请(专利权)人: | 株式会社LG化学 |
主分类号: | C08J5/22 | 分类号: | C08J5/22;G03F7/00;G03F7/16;G03F7/26;G03F7/20;C08L101/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 赵丹;高世豪 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 合体 | ||
1.一种层合体,包括:基底;形成在所述基底的表面上的聚合物条带图案;以及形成在所述基底的其上形成有所述聚合物条带图案的表面上的嵌段共聚物膜,
其中所述嵌段共聚物包含:满足以下条件1至条件3中的一个或更多个的聚合物链段A、以及与所述聚合物链段A不同的并且与所述聚合物链段A的表面能之差的绝对值为10mN/m或更小的聚合物链段B,以及
所述聚合物条带图案的聚合物满足以下条件1至条件3中的一个或更多个,或者与所述聚合物链段A的表面能之差的绝对值为10mN/m或更小并且数均分子量为8Kg/mol至100Kg/mol:
条件1:在DSC分析中在-80℃至200℃的范围内显示出熔融转变峰或各向同性转变峰:
条件2:在XRD分析中在0.5nm-1至10nm-1的散射矢量q范围内显示出半值宽度在0.2nm-1至0.9nm-1的范围内的峰:
条件3:包含侧链,其中所述侧链中的成链原子的数目n与XRD分析中的散射矢量q满足以下方程式1:
[方程式1]
3nm-1至5nm-1=nq/(2xπ)
其中,n为所述成链原子的数目,以及q为其中在所述嵌段共聚物的X射线衍射分析中观察到峰的最小散射矢量、或者其中观察到最大峰面积的峰的散射矢量。
2.根据权利要求1所述的层合体,其中所述嵌段共聚物膜与所述基底或所述聚合物条带图案直接接触。
3.根据权利要求1所述的层合体,其中所述嵌段共聚物膜形成层状结构。
4.根据权利要求3所述的层合体,其中所述聚合物条带图案的条带宽度在0.3L至2.0L的范围内,以及所述图案的间距F与宽度W的比率F/W在2至20的范围内以及所述聚合物条带图案的厚度为L或更小,其中L为所述层状结构的间距。
5.根据权利要求4所述的层合体,其中所述嵌段共聚物膜的厚度在1L至10L的范围内,其中L为所述层状结构的间距。
6.根据权利要求4所述的层合体,其中所述嵌段共聚物中的所述聚合物链段A的体积分数在0.4至0.8的范围内,所述聚合物链段B的体积分数在0.2至0.6的范围内,以及所述聚合物链段A和所述聚合物链段B的体积分数之和为1。
7.根据权利要求1所述的层合体,其中所述聚合物链段A包含具有8个或更多个成链原子的侧链。
8.根据权利要求7所述的层合体,其中所述聚合物链段A包含环结构并且所述侧链取代在所述环结构上。
9.根据权利要求8所述的层合体,其中所述环结构中不存在卤素原子。
10.根据权利要求7所述的层合体,其中所述聚合物链段B包含3个或更多个卤素原子。
11.根据权利要求10所述的层合体,其中所述聚合物链段B包含环结构并且所述卤素原子取代在所述环结构上。
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