[发明专利]低压断路器装置有效

专利信息
申请号: 201780070298.5 申请日: 2017-11-13
公开(公告)号: CN109997208B 公开(公告)日: 2021-02-05
发明(设计)人: K·阿斯坎 申请(专利权)人: 伊顿智能动力有限公司
主分类号: H01H9/40 分类号: H01H9/40;H01H9/54;H02H3/02;H02H3/08
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 代理人: 王勇;王博
地址: 爱尔兰*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 低压 断路器 装置
【权利要求书】:

1.一种低压断路器装置(1),其具有从低压断路器装置(1)的外部导体电源连接(3)到低压断路器装置(1)的外部导体负载连接(4)的至少一个外部导体部分(2),机械旁路开关(8)布置在外部导体部分(2)中,低压断路器装置(1)的第一半导体电路装置(11)并联连接至旁路开关(8),电流测量装置(12)布置于外部导体部分(2)中,该装置与低压断路器装置(1)的电子控制单元(13)连接,电子控制单元(13)设计为当通过电流测量装置(12)检测到给定的过电流时,控制旁路开关(8)和第一半导体电路装置(11),第二半导体电路装置(14)与旁路开关(8)串联布置在外部导体部分(2)中并与第一半导体电路装置(11)并联,其特征在于旁路开关(8)是多断路开关(27)的形式,所述第二半导体电路装置(14)设计为包括低压MOSFET(15),以及所述低压断路器装置(1)具有从低压断路器装置(1)的中性导体连接(6)至低压断路器装置(1)的中性导体负载连接(7)的中性导体部分(5)。

2.根据权利要求1所述的低压断路器装置(1),其特征在于,所述给定的过电流是短路电流。

3.根据权利要求1所述的低压断路器装置(1),其特征在于所述第二半导体电路装置(14)是双向设计的开关。

4.根据权利要求3所述的低压断路器装置(1),其特征在于,所述第二半导体电路装置(14)是双向四象限开关。

5.根据权利要求1所述的低压断路器装置(1),其特征在于所述低压MOSFET(15)被设计为20-30VMOSFET。

6.根据权利要求1所述的低压断路器装置(1),其特征在于所述多断路开关(27)设计为具有至少一个可动开关桥,其具有至少一个第一可动触点和至少一个第二可动触点。

7.根据权利要求1所述的低压断路器装置(1),其特征在于第一机械隔离开关(9)布置在外部导体部分(2)中,以及其中电子控制单元(13)设计为驱动第一机械隔离开关(9)。

8.根据权利要求7所述的低压断路器装置(1),其特征在于,所述第一机械隔离开关(9)串联至旁路开关(8)。

9.根据权利要求1所述的低压断路器装置(1),其特征在于第二机械隔离开关(10)布置于所述中性导体部分(5)中,其中所述电子控制单元(13)设计为驱动所述第二机械隔离开关(10)。

10.根据权利要求7所述的低压断路器装置(1),其特征在于所述电子控制单元(13)设计为使得当由电流测量装置(12)检测到短路和/或过流时,首先阻断所述第二半导体电路装置(14),然后打开所述旁路开关(8),然后将第一半导体电路装置(11)变为非导电状态,并随后打开第一机械隔离开关(9)和第二机械隔离开关(10)。

11.根据权利要求7-10中任一项所述的低压断路器装置(1),其特征在于所述电子控制单元(13)设计为使得当通过打开的旁路开关(8)和阻断的第一和第二半导体电路装置(11、14)时接通被切断的低压断路器装置(1)时,第二机械隔离开关(10)首先闭合,然后是第一机械隔离开关(9),第一半导体电路装置(11)在至少一个可预先确定的第一时段后接通,此后旁路开关(8)基本上立即闭合,第二半导体电路装置(14)在预先确定的第二时段后接通,并且之后第一半导体电路装置(11)基本上立即切断。

12.根据权利要求11所述的低压断路器装置(1),其特征在于第一时段足够长以使得第一机械隔离开关(9)的开关触点和第二机械隔离开关(10)的开关触点能够达到机械静止状态。

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