[发明专利]控制碳氢化合物产出

说明书

用于控制碳氢化合物产出的技术，包括(i)识别位于至少一个注入井眼和至少一个产出井眼之间的地下碳氢化合物储层的多个储层测量值；(ii)处理所识别的多个储层测量值以生成地下碳氢化合物储层的岩石物理模型；(iii)基于岩石物理模型确定从注入井眼到产出井眼的注入剂流量；以及(iv)基于所确定的注入剂流量调节位于产出井眼周围的流入控制设备(ICD)。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年9月2日递交的美国临时申请No.62/383,240的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

该文档涉及控制碳氢化合物产出，更具体地，涉及用一个或多个流入控制设备来控制碳氢化合物产出。

背景技术

流入控制设备(ICD)和流入控制阀(ICV)可以用于碳氢化合物产出井中，以控制完井过程中的石油、天然气或两者的产出。它们可以用于隔离特定的井段，同时允许其他井段继续促进产出。当发生注入剂突破时，例如由于可能是由储层的面积异质性和垂直异质性而导致的高渗透性条纹，这种设备可能是有用的。ICD、ICV或两者可以用于隔离与高电导率、通过储层的早期注入剂到达路径接触的井段，并保持没遇到这种情况的其他井段的产出。注入剂突破可能突然发生，并且在其发生之前可能存在有限的方法来检测它。早期注入剂突破可以导致注入剂产出过量以及相关的提升和加工成本过高。它还可以导致由天然含水层、气顶驱动或注入剂提供的有价值的储层驱动能量的损失，因此与储层的真实潜力相比可能导致较低的石油采收率。

发明内容

在示例性实现方式中，用于控制碳氢化合物产出的计算机实现的方法包括(i)识别位于至少一个注入井眼和至少一个产出井眼之间的地下碳氢化合物储层的多个储层测量值；(i i)处理所识别的多个储层测量值以生成地下碳氢化合物储层的岩石物理模型；(ii i)基于岩石物理模型确定从注入井眼到产出井眼的注入剂流量；以及(iv)基于所确定的注入剂流量调节位于产出井眼周围的流入控制设备(ICD)。

可与一般实现方式结合的方面还包括从位于地表面或储层中的一个或多个传感器接收多个储层测量值。

在可与任何前述方面组合的另一方面中，一个或多个传感器位于注入井眼和产出井眼之间的储层中。

在可与任何前述方面组合的另一方面中，储层测量值包括井间电磁(EM)、井眼EM、表面电磁、重力测量值或4D地震中的至少一个。

在可与任何前述方面组合的另一方面中，注入井眼或产出井眼中的至少一个包括水平井眼。

在可与任何前述方面组合的另一方面中，处理所识别的多个储层测量值包括反演储层测量值以确定岩石物理模型。

在可与任何前述方面组合的另一方面中，岩石物理模型包括在注入井眼和产出井眼之间的储层中的多个位置处的水饱和度值。

在可与任何前述方面组合的另一方面中，反演储层测量值包括对储层测量值执行Archie算法。

在可与任何前述方面组合的另一方面中，确定注入剂流量包括确定注入井眼和产出井眼之间的洪泛前沿。

在可与任何前述方面组合的另一方面中，洪泛前沿包括多个位置处的水饱和度和碳氢化合物饱和度值的和。

在可与任何前述方面组合的另一方面中，确定注入剂流量包括更新岩石物理模型。

在可与任何前述方面组合的另一方面中，更新岩石物理模型包括利用多个储层测量值使用贝叶斯(Bayesian)推断。

可与任何前述方面组合的另一方面还包括确定注入井眼和产出井眼之间的阈值位置。

在可与任何前述方面组合的另一方面中，确定注入剂流量包括确定阈值位置处的注入剂流量。